今天給各位分享c80u是什么材料的知識(shí)，其中也會(huì)對(duì)c80鋼材進(jìn)行解釋，現(xiàn)在開始吧！

cpu是怎么做成的？要什么材料，幾道工序？

CPU,Central processing unit.是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)的核心部件，又稱為“微處理器(Microprocessor)”。對(duì)于PC而言，CPU的規(guī)格與頻率常常被用來作為衡量一臺(tái)電腦性能強(qiáng)弱重要指標(biāo)。Intel x86架構(gòu)已經(jīng)經(jīng)歷了二十多個(gè)年頭，而x86架構(gòu)的CPU對(duì)我們大多數(shù)人的工作、生活影響頗為深遠(yuǎn)。

一代一代經(jīng)典的CPU

許多對(duì)電腦知識(shí)略知一二的朋友大多會(huì)知道CPU里面最重要的東西就是晶體管了，提高CPU的速度，最重要的一點(diǎn)說白了就是如何在相同的CPU面積里面放進(jìn)去更加多的晶體管，由于CPU實(shí)在太小，太精密，里面組成了數(shù)目相當(dāng)多的晶體管，所以人手是絕對(duì)不可能完成的，只能夠通過光刻工藝來進(jìn)行加工的。這就是為什么一塊CPU里面為什么可以數(shù)量如此之多的晶體管。晶體管其實(shí)就是一個(gè)雙位的開關(guān)：即開和關(guān)。如果您回憶起基本計(jì)算的時(shí)代，那就是一臺(tái)計(jì)算機(jī)需要進(jìn)行工作的全部。兩種選擇，開和關(guān)，對(duì)于機(jī)器來說即0和1。那么您將如何制作一個(gè)CPU呢？在今天的文章中，我們將一步一步的為您講述中央處理器從一堆沙子到一個(gè)功能強(qiáng)大的集成電路芯片的全過程。（由于CPU的制作過程技術(shù)含量太高，小編能力有限，圖片與介紹都來至互聯(lián)網(wǎng)收集）。本文僅是讓大家對(duì)CPU制作過程有一個(gè)比較詳細(xì)的了解，這樣小編的任務(wù)也就完成了。

● 制造CPU的基本原料

如果問及CPU的原料是什么，大家都會(huì)輕而易舉的給出答案—是硅。這是不假，但硅又來自哪里呢？其實(shí)就是那些最不起眼的沙子。難以想象吧，價(jià)格昂貴，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能強(qiáng)大，充滿著神秘感的CPU竟然來自那根本一文不值的沙子。當(dāng)然這中間必然要經(jīng)歷一個(gè)復(fù)雜的制造過程才行。不過不是隨便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑細(xì)選，從中提取出最最純凈的硅原料才行。試想一下，如果用那最最廉價(jià)而又儲(chǔ)量充足的原料做成CPU，那么成品的質(zhì)量會(huì)怎樣，你還能用上像現(xiàn)在這樣高性能的處理器嗎？

英特爾技術(shù)人員在半導(dǎo)體生產(chǎn)工廠內(nèi)使用自動(dòng)化測(cè)量工具依據(jù)嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)對(duì)晶圓的制造進(jìn)度進(jìn)行監(jiān)測(cè)。

除去硅之外，制造CPU還需要一種重要的材料就是金屬。目前為止，鋁已經(jīng)成為制作處理器內(nèi)部配件的主要金屬材料，而銅則逐漸被淘汰，這是有一些原因的，在目前的CPU工作電壓下，鋁的電遷移特性要明顯好于銅。所謂電遷移問題，就是指當(dāng)大量電子流過一段導(dǎo)體時(shí)，導(dǎo)體物質(zhì)原子受電子撞擊而離開原有位置，留下空位，空位過多則會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)體連線斷開，而離開原位的原子停留在其它位置，會(huì)造成其它地方的短路從而影響芯片的邏輯功能，進(jìn)而導(dǎo)致芯片無法使用。這就是許多Northwood Pentium 4換上SNDS（北木暴畢綜合癥）的原因，當(dāng)發(fā)燒友們第一次給Northwood Pentium 4超頻就急于求成，大幅提高芯片電壓時(shí)，嚴(yán)重的電遷移問題導(dǎo)致了CPU的癱瘓。這就是Intel首次嘗試銅互連技術(shù)的經(jīng)歷，它顯然需要一些改進(jìn)。不過另一方面講，應(yīng)用銅互連技術(shù)可以減小芯片面積，同時(shí)由于銅導(dǎo)體的電阻更低，其上電流通過的速度也更快。

除了這兩樣主要的材料之外，在芯片的設(shè)計(jì)過程中還需要一些種類的化學(xué)原料，它們起著不同的作用，這里不再贅述。

● CPU制造的準(zhǔn)備階段

在必備原材料的采集工作完畢之后，這些原材料中的一部分需要進(jìn)行一些預(yù)處理工作。而作為最主要的原料，硅的處理工作至關(guān)重要。首先，硅原料要進(jìn)行化學(xué)提純，這一步驟使其達(dá)到可供半導(dǎo)體工業(yè)使用的原料級(jí)別。而為了使這些硅原料能夠滿足集成電路制造的加工需要，還必須將其整形，這一步是通過溶化硅原料，然后將液態(tài)硅注入大型高溫石英容器而完成的。

晶圓上的方塊稱為“芯片（die）”每個(gè)微處理器都會(huì)成為個(gè)人計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的“大腦”。

而后，將原料進(jìn)行高溫溶化。中學(xué)化學(xué)課上我們學(xué)到過，許多固體內(nèi)部原子是晶體結(jié)構(gòu)，硅也是如此。為了達(dá)到高性能處理器的要求，整塊硅原料必須高度純凈，及單晶硅。然后從高溫容器中采用旋轉(zhuǎn)拉伸的方式將硅原料取出，此時(shí)一個(gè)圓柱體的硅錠就產(chǎn)生了。從目前所使用的工藝來看，硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米。不過現(xiàn)在Intel和其它一些公司已經(jīng)開始使用300毫米直徑的硅錠了。在保留硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當(dāng)?shù)碾y度的，不過只要企業(yè)肯投入大批資金來研究，還是可以實(shí)現(xiàn)的。Intel為研制和生產(chǎn)300毫米硅錠而建立的工廠耗費(fèi)了大約35億美元，新技術(shù)的成功使得Intel可以制造復(fù)雜程度更高，功能更強(qiáng)大的集成電路芯片。而200毫米硅錠的工廠也耗費(fèi)了15億美元。下面就從硅錠的切片開始介紹CPU的制造過程。

清潔的空氣源源不斷地從天花板和地板中的空隙中流入室內(nèi)。無塵車間中的全部空氣每分鐘都會(huì)多次更換。

在制成硅錠并確保其是一個(gè)絕對(duì)的圓柱體之后，下一個(gè)步驟就是將這個(gè)圓柱體硅錠切片，切片越薄，用料越省，自然可以生產(chǎn)的處理器芯片就更多。切片還要鏡面精加工的處理來確保表面絕對(duì)光滑，之后檢查是否有扭曲或其它問題。這一步的質(zhì)量檢驗(yàn)尤為重要，它直接決定了成品CPU的質(zhì)量。

新的切片中要摻入一些物質(zhì)而使之成為真正的半導(dǎo)體材料，而后在其上刻劃代表著各種邏輯功能的晶體管電路。摻入的物質(zhì)原子進(jìn)入硅原子之間的空隙，彼此之間發(fā)生原子力的作用，從而使得硅原料具有半導(dǎo)體的特性。今天的半導(dǎo)體制造多選擇CMOS工藝（互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體）。其中互補(bǔ)一詞表示半導(dǎo)體中N型MOS管和P型MOS管之間的交互作用。而N和P在電子工藝中分別代表負(fù)極和正極。多數(shù)情況下，切片被摻入化學(xué)物質(zhì)而形成P型襯底，在其上刻劃的邏輯電路要遵循nMOS電路的特性來設(shè)計(jì)，這種類型的晶體管空間利用率更高也更加節(jié)能。同時(shí)在多數(shù)情況下，必須盡量限制pMOS型晶體管的出現(xiàn)，因?yàn)樵谥圃爝^程的后期，需要將N型材料植入P型襯底當(dāng)中，而這一過程會(huì)導(dǎo)致pMOS管的形成。

在摻入化學(xué)物質(zhì)的工作完成之后，標(biāo)準(zhǔn)的切片就完成了。然后將每一個(gè)切片放入高溫爐中加熱，通過控制加溫時(shí)間而使得切片表面生成一層二氧化硅膜。通過密切監(jiān)測(cè)溫度，空氣成分和加溫時(shí)間，該二氧化硅層的厚度是可以控制的。在Intel的90納米制造工藝中，門氧化物的寬度小到了驚人的5個(gè)原子厚度。這一層門電路也是晶體管門電路的一部分，晶體管門電路的作用是控制其間電子的流動(dòng)，通過對(duì)門電壓的控制，電子的流動(dòng)被嚴(yán)格控制，而不論輸入輸出端口電壓的大小。

準(zhǔn)備工作的最后一道工序是在二氧化硅層上覆蓋一個(gè)感光層。這一層物質(zhì)用于同一層中的其它控制應(yīng)用。這層物質(zhì)在干燥時(shí)具有很好的感光效果，而且在光刻蝕過程結(jié)束之后，能夠通過化學(xué)方法將其溶解并除去。

● 光刻蝕

這是目前的CPU制造過程當(dāng)中工藝非常復(fù)雜的一個(gè)步驟，為什么這么說呢？光刻蝕過程就是使用一定波長(zhǎng)的光在感光層中刻出相應(yīng)的刻痕， 由此改變?cè)撎幉牧系幕瘜W(xué)特性。這項(xiàng)技術(shù)對(duì)于所用光的波長(zhǎng)要求極為嚴(yán)格，需要使用短波長(zhǎng)的紫外線和大曲率的透鏡。刻蝕過程還會(huì)受到晶圓上的污點(diǎn)的影響。每一步刻蝕都是一個(gè)復(fù)雜而精細(xì)的過程。設(shè)計(jì)每一步過程的所需要的數(shù)據(jù)量都可以用10GB的單位來計(jì)量，而且制造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過20步（每一步進(jìn)行一層刻蝕）。而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多倍的話，可以和整個(gè)紐約市外加郊區(qū)范圍的地圖相比，甚至還要復(fù)雜，試想一下，把整個(gè)紐約地圖縮小到實(shí)際面積大小只有100個(gè)平方毫米的芯片上，那么這個(gè)芯片的結(jié)構(gòu)有多么復(fù)雜，可想而知了吧。

單晶硅錠和最初的核心架構(gòu)

當(dāng)這些刻蝕工作全部完成之后，晶圓被翻轉(zhuǎn)過來。短波長(zhǎng)光線透過石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上，然后撤掉光線和模板。通過化學(xué)方法除去暴露在外邊的感光層物質(zhì)，而二氧化硅馬上在陋空位置的下方生成。

英特爾技術(shù)人員在監(jiān)測(cè)自動(dòng)濕刻蝕工具中的晶圓，該工藝可清除晶圓上多余的操作助劑或者污染物。

● 摻雜

在殘留的感光層物質(zhì)被去除之后，剩下的就是充滿的溝壑的二氧化硅層以及暴露出來的在該層下方的硅層。這一步之后，另一個(gè)二氧化硅層制作完成。然后，加入另一個(gè)帶有感光層的多晶硅層。多晶硅是門電路的另一種類型。由于此處使用到了金屬原料（因此稱作金屬氧化物半導(dǎo)體），多晶硅允許在晶體管隊(duì)列端口電壓起作用之前建立門電路。感光層同時(shí)還要被短波長(zhǎng)光線透過掩模刻蝕。再經(jīng)過一部刻蝕，所需的全部門電路就已經(jīng)基本成型了。然后，要對(duì)暴露在外的硅層通過化學(xué)方式進(jìn)行離子轟擊，此處的目的是生成N溝道或P溝道。這個(gè)摻雜過程創(chuàng)建了全部的晶體管及彼此間的電路連接，沒個(gè)晶體管都有輸入端和輸出端，兩端之間被稱作端口。

● 重復(fù)這一過程

從這一步起，你將持續(xù)添加層級(jí)，加入一個(gè)二氧化硅層，然后光刻一次。重復(fù)這些步驟，然后就出現(xiàn)了一個(gè)多層立體架構(gòu)，這就是你目前使用的處理器的萌芽狀態(tài)了。在每層之間采用金屬涂膜的技術(shù)進(jìn)行層間的導(dǎo)電連接。今天的P4處理器采用了7層金屬連接，而Athlon64使用了9層，所使用的層數(shù)取決于最初的版圖設(shè)計(jì)，并不直接代表著最終產(chǎn)品的性能差異。

● 測(cè)試 封裝測(cè)試過程

接下來的幾個(gè)星期就需要對(duì)晶圓進(jìn)行一關(guān)接一關(guān)的測(cè)試，包括檢測(cè)晶圓的電學(xué)特性，看是否有邏輯錯(cuò)誤，如果有，是在哪一層出現(xiàn)的等等。而后，晶圓上每一個(gè)出現(xiàn)問題的芯片單元將被單獨(dú)測(cè)試來確定該芯片有否特殊加工需要。

技術(shù)人員正在檢查各個(gè)晶圓，確保每個(gè)晶圓都處于最佳狀態(tài)。每個(gè)晶圓中可能包含數(shù)百個(gè)芯片。

晶圓在測(cè)試過程中旋轉(zhuǎn)時(shí)的特寫

而后，整片的晶圓被切割成一個(gè)個(gè)獨(dú)立的處理器芯片單元。在最初測(cè)試中，那些檢測(cè)不合格的單元將被遺棄。這些被切割下來的芯片單元將被采用某種方式進(jìn)行封裝，這樣它就可以順利的插入某種接口規(guī)格的主板了。大多數(shù)Intel和AMD的處理器都會(huì)被覆蓋一個(gè)散熱層。在處理器成品完成之后，還要進(jìn)行全方位的芯片功能檢測(cè)。這一部會(huì)產(chǎn)生不同等級(jí)的產(chǎn)品，一些芯片的運(yùn)行頻率相對(duì)較高，于是打上高頻率產(chǎn)品的名稱和編號(hào)，而那些運(yùn)行頻率相對(duì)較低的芯片則加以改造，打上其它的低頻率型號(hào)。這就是不同市場(chǎng)定位的處理器。而還有一些處理器可能在芯片功能上有一些不足之處。比如它在緩存功能上有缺陷（這種缺陷足以導(dǎo)致絕大多數(shù)的CPU癱瘓），那么它們就會(huì)被屏蔽掉一些緩存容量，降低了性能，當(dāng)然也就降低了產(chǎn)品的售價(jià)，這就是Celeron和Sempron的由來。

在CPU的包裝過程完成之后，許多產(chǎn)品還要再進(jìn)行一次測(cè)試來確保先前的制作過程無一疏漏，且產(chǎn)品完全遵照規(guī)格所述，沒有偏差。

以上就是CPU整個(gè)制作過程，相信大家一定看的很爽吧？而對(duì)于想了解CPU的朋友，這篇文章可以滿足您的需求了。但對(duì)于更深一層了解更為詳細(xì)的CPU制作原理，還需要查找一些專業(yè)的資料來研究，這里小編就不在一一解釋，希望大家諒解

無金屬合成鋯石是什么材料

鋯石含有Hf、Th、U、TR等混入物。主要化學(xué)成分為硅酸鋯；化學(xué)組成為Zr[SiO_]，晶體屬四方晶系的島狀結(jié)構(gòu)硅酸鹽礦物。晶體呈短柱狀，通常為四方柱、四方雙錐或復(fù)四方雙錐的聚形。

鋯石顏色多樣，有無色、紫紅、金黃色、淡黃色、石榴紅、橄欖綠，香檳，粉紅，紫藍(lán)，蘋果綠等，一般有無色、藍(lán)色和紅色品種。

早在1890年，法國(guó)已有人制成成分為硅酸鋯(zrsio4)的合成鋯石，但晶體很小，僅有科學(xué)意義?，F(xiàn)雖已可制成3毫米2毫米的正方晶體(紫色)，但尚無法用于生產(chǎn)。

40cmd8是什么材料,是哪個(gè)國(guó)家的，對(duì)照中國(guó)的是什么..急急急急急急

40CMD8合金工具鋼、工具鋼、合工鋼、模具鋼數(shù)量(千克) 價(jià)格(元/千克)

≥1 32.00元/千克

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混批 發(fā)貨地： 廣東 東莞市

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規(guī)格 齊全 材質(zhì) 1.2109 1.2127 1.2129 1.2162 1.2201 1.2206

產(chǎn)地/廠家 英國(guó)、德國(guó)、中國(guó)、美國(guó)、日本、法國(guó)、瑞典

模具鋼：T7 T7A T8 T8A T8Mn T8MnA T9 T9A T10 T10A T11 T11A T12 T12A T13 T13A 9SiCr 8MnSi Cr06 Cr2 9Cr2 4CrW2Si 5CrW2Si 6CrW2Si 6CrMnSi2Mo1V 5Cr3Mn1SiMo1V Cr12 Cr12Mo1V1 Cr12MoV Cr5Mo1V 9Mn2V Cr2Mn 9CrWMn Cr4W2MoV 7CrSiMnMoV 6Cr4W3Mo2VNb 6W6Mo5Cr4V 5CrMnMo 5CrNiMo 3Cr2W8V 5Cr4Mo3SiMnVAl 3Cr3Mo3 W2V 5Cr4W5 Mo2V 8Cr3 4CrMnSiMoV 4Cr3Mo3SiV 4Cr5MoSiV 4Cr5MoSiV1 4Cr5W2VSi 7Mn15Cr2Al3V2WMo 3Cr2Mo 3Cr2MnNiMo W18Cr4V W18Cr4VCo5 W18Cr4V2Co8 W12Cr4V5Co5 W6Mo5Cr4V2 CW6Mo5Cr4V2 W6Mo5Cr4V3 CW6Mo5Cr4V3 W2Mo9Cr4V2 W6Mo5Cr4V2Co5 W7Mo4Cr4V2Co5 W2Mo9Cr4VCo8 W9Mo3Cr4V W6Mo5Cr4V2Al SM45 SM50 SM55 SM1CrNi3 SM3Cr2Mo SM3Cr2Ni1Mo SM2CrNi3MoAl1S SM4Cr5MoSiV SM4Cr5MoSiV1 SMCr12Mo1V1 SM2Cr13 SM4Cr13 SM3Cr17Mo 5CrMnMo 5CrNiMo 4CrMnSiMoV 4SiMnMoV 4Cr2MoVNi 5CrNiMoV 5Cr2NiMoVSi 6Cr4W3Mo2VNb 6W6Mo5Cr4V 8Cr2MnWMoVS 7CrSiMnMoV 6CrNiWMoV Cr8MoWV3 6CrNiSiMnMoV 9Cr6W3Mo2V2 7Cr7Mo2V2Si 7Cr7Mo3V2Si 5Cr4Mo3SiMnVAl 5Cr2NiMoVSi 6Cr4Mo3Ni2WV 3Cr3Mo2MnV 4Cr3Mo2MnVB 4Cr3Mo2W4VTiNb 4Cr3Mo2NiVNb 3Cr3Mo3W2V 2Cr3Mo3VNb 5Cr4W5Mo2V 4Cr3Mo2WVMn 4Cr3Mo2MnVNbB 4Cr5Mo2MnVSi 3Cr3Mo2WV 5CrNiMnMoVSCa 0Cr16Ni4Cu3Nb 1Ni3Mn2MoAl 4Cr13Cu Y55CrNiMnMoV 20CrNi3AlMnMo W12Mo3Cr4V3N CW9Mo3Cr4VN W9Mo3Cr4V3 W9Mo3Cr4VAl W9Mo3Cr4VCo5 W8Mo5Cr4VCo3N W12Mo3Cr4VCo3N V3N CW9 W9V3 W9Al W9Co5 W8Co3N W12Co3N YG3X YG3 YG4C YG6X YG6A YG6 YG8A YG8C YG8 YG8N YG10C YG10H YG11C YG15 YG20C YG20 YG25 YT5 YT14 YT15 YT05 YT30 YW1 YW2 YW3 YW4 YH1 YH2 YN05 YN10 R5 R8 T1 D1 GT35 ST60 GW50 GJW50 YE50 YE65 C45U C70U C80U C90U C105U C120U C70E2U C80E2U C90E2U C105E2U C105E2UV1 C120E3U C140E3U C120E3UCr4 C140E3UCr4 C38E4U C42E4U C48E4U C55E4U C65E4U Y170 Y180 Y190 Y1105 Y2120 Y2140 Y2120C Y2140C Y338 Y342 Y348 Y355 Y365 21MnCr5 35CrMo7 40CrMnNiMo8-6-4 45NiCrMo16 50WCrV8 60WCrV8 70MnMoCr8 90MnCrV8 95MnWCr5 102Cr6 105V X38CrMo16 X40Cr14 X100CrMoV5 X153CrMoV12 X210Cr12 X210CrW12 50CrMoV13 70MoCrMo8 90MnV8 90MnWCrV45 100V2 100Cr2 100Cr6 100CrMn6 105WCr5 130Cr3 X100CrMoV5 X160CrMoV12 X160CrCoMoV12-3 X200Cr12 X200CrMo12-1 X210CrW12-1 35NiCr15 35CrMnMo7 40CrMnMo8 42CrMo4 45SiCrMo6 45WCrV8 46Si7 51Si7 60Si8 X20Cr13 X33Cr13 X38CrMo16-1 X40Cr14 X44Cr14 X54Cr14 X100CrMo17 X1CrNiMoAl12-9 X2NiCoMoTi18-8-5 50CDV13 70MCD8 90MV8 90MWCV5 100V2 Y100C2 Y100C6 100CM6 105WC13 130C3 Z100CDV5 Z160CDV12 Z160CKDV12-03 Z200C12 Z200CD12 Z210CW12-01 Y35NC15 35CMD7 40CMD8 Y42CD4 Y45SCD6 45WCV20 Y46S7 Y51S7 Y60S7 Z20C13 Z33C13 Z38CD16-01 Z40C14 Z44C14 Z54C14 Z100CD17 Z1CNDA12-09 Z2NKDT18-08-05 32CrMoV12-28 38CrCoWV18-17-17 50CrMoV13-15 55NiCrMoV7 X30WCrV9-3 X35CrWMoV5 X37CrMoV5-1 X38CrMoV5-3 X40CrMoV5-1 35CrMo8 35NiCrMoV8 40CrMoV13 40NiCrMo16 40NiCrMoV16 45CrMoV6 55CrNiMoV4 20MoNi34-13 32CrMoV12-28 X35CrWMoV5 X38CrMoV5 X38CrMoV5-3 X40CrMoV5 X30WCrV9 X32WCrV5 X56CrMoWV4 X80MoCrV42-16 X15CrNiSi25-20 X15NiCrSi37-18 X20Cr13 X21CrNi17 35CD8 35NCDV8 40CDV13 40NCDV16 45CDV6 55CNDV4 55NCDV7 20DN34-13 32CDV12-28 Z35CWDV5 Z38CDV5 Z38CDV5-3 Z40CDV5 Z30WCV9 Z32WCV5 Z56CDWV4 Y80DCV42-16 Z15CNS25-20 Z15NCS37-18 Z20C13 Z21CN17 HSO-4-1 HS1-4-2 HS1-8-1 HS2-9-1-8 HS2-9-2 HS3-3-2 HS6-5-2 HS6-5-2-5 HS6-5-2C HS6-5-3 HS6-5-3-8 HS6-5-3C HS6-5-4 HS6-6-2 HS10-4-3-10 HS18-0-1

美國(guó)的C80混凝土強(qiáng)度與中國(guó)的C80混凝土強(qiáng)度有何不同

美國(guó)的C80混凝土強(qiáng)度為圓柱體抗壓強(qiáng)度，中國(guó)的為立方體抗壓強(qiáng)度。

最新的混凝土設(shè)計(jì)規(guī)范（送審稿）規(guī)定：

棱柱強(qiáng)度與立方強(qiáng)度之比值c1：對(duì)C50及以下普通混凝土取0.76；對(duì)高強(qiáng)混凝土C80取0.82，中間按線性規(guī)律變化插值；

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