c3n4是什么材料(C3N4的結(jié)構(gòu))

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C2N是什么化學(xué)材料?
C3N4,C2N,C3N,都是類石墨烯的二維氮摻雜材料。其中,C2N是高溫處理六氨基苯六鹽酸鹽得到的。
氮化碳溶于乙醇嗎
不溶于。
氮化碳指的是一種硬度可以和金剛石相媲美而在自然界中尚未發(fā)現(xiàn)的新的共價(jià)化合物,熔點(diǎn)很高,乙二醇達(dá)不到。
乙二醇能與水、丙酮互溶,但在醚類中溶解度較小。用作溶劑、防凍劑以及合成滌綸的原料。乙二醇的高聚物聚乙二醇(PEG)是一種相轉(zhuǎn)移催化劑,也用于細(xì)胞融合,其硝酸酯是一種炸藥。
C3N4是什么啊?
這應(yīng)該與Si3N4相聯(lián)系,因?yàn)檫@兩種晶體都是原子晶體,C3N4是根據(jù)Si3N4的晶體結(jié)構(gòu),用C替換Si制得,C 原子sp3雜化,與4個(gè)處于4面體頂點(diǎn)的N 原子形成共價(jià)鍵,而N 原子sp2雜化,與3個(gè)C 原子在一個(gè)近似的平面上連接.
C3N4是氰化物嗎?
不是氰化物,是氮化碳
氮化碳指的是一種硬度可以和金剛石相媲美而在自然界中尚未發(fā)現(xiàn)的新的共價(jià)化合物。1989年理論上預(yù)言其結(jié)構(gòu),1993年在實(shí)驗(yàn)室合成成功。
合成研究
在理論的預(yù)言下,人們采用各種手段試圖在實(shí)驗(yàn)室合成出這種新的低密度高硬度的非極性共價(jià)鍵化合物,常用的制備方法有震蕩波壓縮、高壓熱解、離子注入、反應(yīng)濺射、等離子體化學(xué)氣相沉積、電化學(xué)沉積、離子束沉積、低能離子輻射、脈沖電弧放電和脈沖激光誘導(dǎo)等,但這種超硬材料的合成結(jié)果并不理想,主要表現(xiàn)在沉積物多為非晶CN薄膜,少數(shù)實(shí)驗(yàn)得到納米級(jí)尺寸的C3N4晶粒鑲嵌于非晶薄膜中,很少得到大顆粒的晶體。另外,目前又沒(méi)有天然存在的標(biāo)樣,而且由于氮化碳幾種相態(tài)的能量相近,在制備的薄膜中很難得到單一相的氮化碳化合物,使得對(duì)這種材料的準(zhǔn)確表征存在很多困難,如對(duì)IR光譜吸收峰位置的確切解釋,X射線衍射(XRD)或透射電鏡(TEM)結(jié)果與預(yù)言值之間的較大差別,Raman光譜僅表現(xiàn)為石墨或無(wú)定形碳膜的特征光譜等,這些困難使得目前的氮化碳的合成研究進(jìn)展緩慢。但一些研究結(jié)果表明非晶CN薄膜也具有很高的硬度、耐磨性、儲(chǔ)氫性能以及優(yōu)異的場(chǎng)發(fā)射性能,值得人們深入研究。
高溫高壓法
理論預(yù)言結(jié)晶氮化碳是一種亞穩(wěn)材料,亞穩(wěn)材料合成的一個(gè)有效方法就是高溫高壓法。利用高溫高壓法人們已經(jīng)成功合成出毫米量級(jí)的金剛石和立方氮化硼,并廣泛應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)。Wixom利用沖擊波在高壓下作用于三聚氰胺樹(shù)脂的熱解產(chǎn)物,但只得到無(wú)定形碳和金剛石的混合物,這一結(jié)果可能是由于在高壓過(guò)程中金剛石相較結(jié)晶氮化碳更穩(wěn)定以及高壓過(guò)程中對(duì)熱力學(xué)反應(yīng)缺乏有效的控制。迄今為止利用高溫高壓法仍未能合成結(jié)晶良好的氮化碳晶體。
離子注入法
離子注入方法可以在局域形成非平衡反應(yīng)所需的條件,從而有利于亞穩(wěn)態(tài)相的合成。因此,利用N離子注入技術(shù)尋求氮化碳晶體的合成也受到關(guān)注。通常用的注入基片有高純石墨、無(wú)定形炭和化學(xué)氣相沉積制備的金剛石薄膜。注入離子的能量和基片溫度對(duì)薄膜中氮含量和結(jié)構(gòu)有顯著影響,一般低能離子注入和低的基片溫度能夠提高薄膜的氮含量和sp3C—N鍵的數(shù)量,同時(shí)沉積速率也得到提高。由于高能N離子束容易引起炭基體的石墨化和非晶化,使得利用N離子注入合成氮化碳晶體的研究受到很大限制。目前,利用N離子注入無(wú)定形氮化碳薄膜來(lái)改善薄膜結(jié)構(gòu)、性能和提高薄膜中N原子含量成為離子注入技術(shù)中的一個(gè)新的研究方向。
氣相沉積法
在氮化碳晶體的合成研究中,相對(duì)于其他的合成方法,物理或化學(xué)氣相沉積方法取得了較好的研究結(jié)果。通過(guò)在反應(yīng)體系中引入高活性的氮、碳原子或離子,從而在基片上沉積氮化碳薄膜。
首次關(guān)于-C3N4晶體的人工合成實(shí)驗(yàn)結(jié)果的報(bào)道是將高濃度的氮原子引入到脈沖激光燒蝕石墨靶產(chǎn)生的碳原子中,TEM數(shù)據(jù)與理論計(jì)算值相當(dāng)吻合,分析證實(shí)了-C3N4晶體的存在。但由于該方法制備的C—N膜的結(jié)晶仍然較差,且-C3N4晶體的晶粒尺寸小于10nm,在該研究報(bào)道中并未給出氮化碳晶體直觀的SEM形貌圖。最早的-C3N4晶體形貌照片是KMYU在氮?dú)夥障吕蒙漕l濺射石墨靶分別研究Si和Ge基片上沉積時(shí)得到的氮化碳薄膜,并在Si基片上觀察到~1m大小的單晶體。由于該單晶體只是在硅基片與C—N薄膜的界面出現(xiàn),在C—N薄膜中很難發(fā)現(xiàn),同時(shí)在Ge基片上不出現(xiàn),且由于Si基片的影響,研究報(bào)道中未給出晶體組成原子的定量比,考慮到這些因素,該晶體很難排除Si原子的影響,而可能是在其他研究中發(fā)現(xiàn)的C3-xSixNy晶體。
C3N4是一種新型材料,它的硬度比金剛石還高,可做切割工具.在C3N4中,C的化合價(jià)為+4,則N的化合價(jià)是(
C3N4中,C的化合價(jià)為+4,
設(shè)氮元素的化合價(jià)是x,
根據(jù)在化合物中正負(fù)化合價(jià)代數(shù)和為零,
可得:(+4)3+4x=0,
則x=-3價(jià).
故選:B.
c3n4@carbon是什么意思?
C3N4是氮化碳, carbon是碳
我理解的意思是: 氮化碳是一種催化劑,而碳材料是其載體。
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