本篇文章給大家談?wù)剬?dǎo)磁材料si是什么，以及材料中si的作用對(duì)應(yīng)的知識(shí)點(diǎn)，希望對(duì)各位有所幫助。

導(dǎo)磁材料的介紹

本項(xiàng)目研制出廉價(jià)的高導(dǎo)磁（Fe Si B）98(Cu Nb)2非晶合金，晶成分優(yōu)選及最佳熱處理工藝， 退火后材料的磁性能達(dá)到昂貴的坡莫合金IJ79的國家標(biāo)準(zhǔn)。 技術(shù)狀況：該材料除具有IJ 79合金的高導(dǎo)磁性外，飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度較IJ79顯著提高。本材料研制的飽和型內(nèi)正反饋放大器的輸入輸出特性優(yōu)于IJ79合金制成的該類磁放大器，主要表現(xiàn)在輸入輸出特性曲線的工作區(qū)斜率大、特性曲線的負(fù)向在較大的負(fù)信號(hào)區(qū)域沒有翹起，接近磁放大器輸入輸出特性的理想曲線。用本材料研制的磁感應(yīng)加熱器熱效率高，可在250kHz的高頻電源下使用。

si半導(dǎo)體 是什么意思

就是硅基半導(dǎo)體,Si是化學(xué)元素硅,

硅基半導(dǎo)體是以硅材料為基礎(chǔ)發(fā)展起來的新型材料。包括絕緣層上的硅材料、鍺硅材料、多孔硅、微晶硅以及以硅為基底異質(zhì)外延其他化合物半導(dǎo)體材料等。

導(dǎo)磁材料是什么意思

導(dǎo)磁材料也稱鐵磁材料，電機(jī)磁路的鐵磁材料主要是硅鋼片。鐵磁材料的磁導(dǎo)串對(duì)磁 場具有非線性，在磁化過程中還有不可邊性和隘滯現(xiàn)象，在交變磁場作用下出現(xiàn)磁滯損耗和渦流損耗。

解釋電力電子器件si產(chǎn)品和sic的區(qū)別

SI器件和SIC器件的比較兩者主要是性能不同。

SiC是什么?

碳化硅(SiC)是一種Ⅳ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或 -SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目;另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為-SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、。大的Eg使SiC可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能。

相比于Si器件，SiC功率器件的優(yōu)勢：

作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，SiC對(duì)功率半導(dǎo)體可以說是一個(gè)沖擊。這種材料不但擊穿電場強(qiáng)度高、熱穩(wěn)定性好，還具有載流子飽和漂移速度高、熱導(dǎo)率高等特點(diǎn)。具體來看，其導(dǎo)熱性能是Si材料的3倍以上;在相同反壓下，SiC材料的擊穿電場強(qiáng)度比Si高10倍，而內(nèi)阻僅是Si片的百分之一。SiC器件的工作溫度可以達(dá)到600℃，而一般的Si器件最多能堅(jiān)持到150℃。

因?yàn)檫@些特性，SiC可以用來制造各種耐高溫的高頻大功率器件，應(yīng)用于Si 器件難以勝任的場合。以SiC肖特基二極管為例，它是速度最快的高壓肖特基二極管，無需反向恢復(fù)充電，可大幅降低開關(guān)損耗、提高開關(guān)頻率，適用于比采用硅技術(shù)的肖特基二極管高得多的操作電壓范圍，例如，600V SiC肖特基二極管可以用在SMPS中，300V SiC肖特基二極管可以用作48~60V快速輸出開關(guān)電源的整流二極管，而1，200V SiC肖特基二極管與硅IGBT組合后可以作為理想的續(xù)流二極管。

采用硅材料的MOSFET在提高器件阻斷電壓時(shí)，必須加寬器件的漂移區(qū)，這會(huì)使其內(nèi)阻迅速增大，壓降增高，損耗增大。阻斷電壓范圍在1，200~1，800V的硅MOSFET不僅體積大，而且價(jià)格昂貴。IGBT雖然在高壓應(yīng)用時(shí)可降低導(dǎo)通功耗，但若開關(guān)頻率增加時(shí)，開關(guān)功耗亦隨之增大。因此IGBT在高頻開關(guān)電源上亦有其本身的限制。而用SiC做襯底的MOSFET，可輕易做到1，000～2，000伏的MOSFET，其開關(guān)特性(結(jié)電容值，開關(guān)損耗，開關(guān)波型等)則與100多伏的硅MOSFET相若，導(dǎo)通電阻更可低至毫歐值。在高壓開關(guān)電源應(yīng)用上，完全可取代硅IGBT并可提高系統(tǒng)的整體效率以及開關(guān)頻率。

價(jià)格差異：

單就Si器件和SiC器件的價(jià)差來看，確實(shí)有較大的差異，但如果從SiC器件帶來的系統(tǒng)性能提升來看，將會(huì)發(fā)現(xiàn)其帶來的總體效益遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過兩類器件的價(jià)差。在SiC特別適合的高壓應(yīng)用中，如果充分發(fā)揮SiC器件的特性，這一整體優(yōu)勢表現(xiàn)得非常明顯。

為什么硅能提高鐵導(dǎo)磁？

硅是鋼的良好脫氧劑，它與氧結(jié)合，使氧轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定的不為碳還原的SiO2，避免了因氧原子摻雜而使鐵的晶格畸變。硅在鐵中成為固溶體后使電阻率增加，同時(shí)有助于將有害雜質(zhì)碳分離出來。因此，一般含雜質(zhì)的鐵加入硅后能提高磁導(dǎo)率、降低矯頑力和鐵損。但含硅量增加又會(huì)使材料變硬變脆，導(dǎo)熱性和韌性下降，對(duì)散熱和機(jī)械加工不利，故一般硅鋼片的含硅量不超過4.5%。

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