本篇文章給大家談?wù)劙雽?dǎo)體材料si-h是什么，以及半導(dǎo)體SIN是什么意思對應(yīng)的知識點，希望對各位有所幫助。

常見的半導(dǎo)體材料是什么？

常見的半導(dǎo)體材料有硅（si）、鍺（ge），化合物半導(dǎo)體如砷化鎵（gaas）等，摻雜或制成其它化合物半導(dǎo)體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（sb）等。其中硅是最常用的一種半導(dǎo)體材料。

半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mcm～1Gcm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。

半導(dǎo)體新型材料：

其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，擁有卓越的電學(xué)特性，而且成本低廉，可被用于制造現(xiàn)代電子設(shè)備中廣泛使用的場效應(yīng)晶體管。

科學(xué)家們表示，最新研究有望讓人造皮膚、智能繃帶、柔性顯示屏、智能擋風(fēng)玻璃、可穿戴的電子設(shè)備和電子墻紙等變成現(xiàn)實。

昂貴的原因主要因為電視機、電腦和手機等電子產(chǎn)品都由硅制成，制造成本很高;而碳基(塑料)有機電子產(chǎn)品不僅制造方便、成本低廉，而且輕便柔韌可彎曲，代表了“電子設(shè)備無處不在”這一未來趨勢。

以前的研究表明，碳結(jié)構(gòu)越大，其性能越優(yōu)異。但科學(xué)家們一直未曾研究出有效的方法來制造更大的、穩(wěn)定的、可溶解的碳結(jié)構(gòu)以進(jìn)行研究，直到此次祖切斯庫團(tuán)隊研制出這種新的用于制造晶體管的有機半導(dǎo)體材料。

有機半導(dǎo)體是一種塑料材料，其擁有的特殊結(jié)構(gòu)讓其具有導(dǎo)電性。在現(xiàn)代電子設(shè)備中，電路使用晶體管控制不同區(qū)域之間的電流。科學(xué)家們對新的有機半導(dǎo)體材料進(jìn)行了研究并探索了其結(jié)構(gòu)與電學(xué)屬性之間的關(guān)系。

si半導(dǎo)體 是什么意思

就是硅基半導(dǎo)體,Si是化學(xué)元素硅,

硅基半導(dǎo)體是以硅材料為基礎(chǔ)發(fā)展起來的新型材料。包括絕緣層上的硅材料、鍺硅材料、多孔硅、微晶硅以及以硅為基底異質(zhì)外延其他化合物半導(dǎo)體材料等。

半導(dǎo)體材料里看到的，a-Si:h a-SiGe:H c Si都是什么意思？，我知道a-Si是多晶硅，那：H是什么意思？急??！

a-Si:H表示氫化非晶硅，c-Si表示單晶硅。a是amorphous非晶的意思，c是crystal晶體的意思。

什么非晶硅

分類: 資源共享

問題描述:

非晶硅的用途

解析:

目前研究得最多，實用價值最大的非晶態(tài)半導(dǎo)體主要有兩類：即非晶態(tài)硅和硫?qū)侔雽?dǎo)體。特別是非晶態(tài)硅，在理論上和應(yīng)用方面的研究都非?；钴S。

晶態(tài)硅自50年代以來，已研制成功名目繁多、功能各異的各種固態(tài)電子器件和靈巧的集成電路。非晶硅（a—Si∶H）是一種新興的半導(dǎo)體薄膜材料，它作為一種新能源材料和電子信息新材料，自70年代問世以來，取得了迅猛發(fā)展。非晶硅太陽能電池是目前非晶硅材料應(yīng)用最廣泛的領(lǐng)域，也是太陽能電池的理想材料，光電轉(zhuǎn)換效率已達(dá)到13%，這種太陽能電池將成為無污染的特殊能源。1988年全世界各類太陽能電池的總產(chǎn)量35.2兆瓦，其中非晶硅太陽能電池為13.9兆瓦，居首位，占總產(chǎn)量的40%左右。與晶態(tài)硅太陽能電池相比，它具有制備工藝相對簡單，原材料消耗少，價格比較便宜等優(yōu)點。

非晶硅的用途很多，可以制成非晶硅場效應(yīng)晶體管；用于液晶顯示器件、集成式a—Si倒相器、集成式圖象傳感器、以及雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器等器件中作為非線性器件；利用非晶硅膜可以制成各種光敏、位敏、力敏、熱敏等傳感器；利用非晶硅膜制做靜電復(fù)印感光膜，不僅復(fù)印速率會大大提高，而且圖象清晰，使用壽命長；等等。目前非晶硅的應(yīng)用正在日新月異地發(fā)展著，可以相信，在不久的將來，還會有更多的新器件產(chǎn)生。

非晶硅的制備：由非晶態(tài)合金的制備知道，要獲得非晶態(tài)，需要有高的冷卻速率，而對冷卻速率的具體要求隨材料而定。硅要求有極高的冷卻速率，用液態(tài)快速淬火的方法目前還無法得到非晶態(tài)。近年來，發(fā)展了許多種氣相淀積非晶態(tài)硅膜的技術(shù)，其中包括真空蒸發(fā)、輝光放電、濺射及化學(xué)氣相淀積等方法。一般所用的主要原料是單硅烷（SiH4）、二硅烷（Si2H6）、四氟化硅（SiF4）等，純度要求很高。非晶硅膜的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)與制備工藝的關(guān)系非常密切，目前認(rèn)為以輝光放電法制備的非晶硅膜質(zhì)量最好，設(shè)備也并不復(fù)雜。以下簡介輝光放電法。

輝光放電法是利用反應(yīng)氣體在等離子體中發(fā)生分解而在襯底上淀積成薄膜，實際上是在等離子體幫助下進(jìn)行的化學(xué)氣相淀積。等離子體是由高頻電源在真空系統(tǒng)中產(chǎn)生的。根據(jù)在真空室內(nèi)施加電場的方式，可將輝光放電法分為直流電、高頻法、微波法及附加磁場的輝光放電。在輝光放電裝置中，非晶硅膜的生長過程就是硅烷在等離子體中分解并在襯底上淀積的過程。對這一過程的細(xì)節(jié)目前了解得還很不充分，但這一過程對于膜的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大影響。

硫?qū)侔雽?dǎo)體是S、Se或Te的金屬化合物，或這幾種化合物的混合物。這類材料在性質(zhì)上屬于半導(dǎo)體材料，但又象玻璃一樣是非晶態(tài)。為與一般氧化物玻璃和結(jié)晶半導(dǎo)體相區(qū)別，故把它們稱為玻璃半導(dǎo)體。又因為它們的主要成份是周期表中的硫?qū)僭?，故又稱為硫?qū)侔雽?dǎo)體，或叫硫?qū)俨Ａ?。硫?qū)侔雽?dǎo)體的品種很多，迄今研究得比較充分的硫?qū)侔雽?dǎo)體有As2S3、As2Se3、As2Te3及As2Se3—As2Te3、As2Se3—As2Te3—Te2Se等。硫?qū)侔雽?dǎo)體的應(yīng)用主要是基于它在光、熱、電場等外界條件作用下引起的性能和結(jié)構(gòu)變化?？捎糜谥谱魈柲茈姵?、全息記錄材料、光—電記錄材料、復(fù)印機感光膜、硫?qū)俨ＡЧ饪棠z等。

關(guān)于半導(dǎo)體材料si-h是什么和半導(dǎo)體SIN是什么意思的介紹到此就結(jié)束了，記得收藏關(guān)注本站。