這種鍍膜技術(shù)是在蒸鍍的同時，用離子束轟擊基片，離子束由寬束離子源產(chǎn)生。與一般的離子鍍相比，采用單獨(dú)的離子源產(chǎn)生離子束，可以***控制離子的束流密度、能量和人射方向，而且離子束輔助沉積中，沉積室的真空度很高，可獲得高質(zhì)量的膜層。

　　雙離子束鍍是一種將離子注人和常規(guī)氣相沉積鍍膜結(jié)合起來的因而兼有兩者優(yōu)點(diǎn)的高新技術(shù)。它的基本特征是在氣相沉積鍍膜的同時，用具有一定能量的離子束轟擊不斷沉積著的物質(zhì)。由于離子轟擊引起沉積膜與基體材料間原子互相混合，界面原子互相滲透融為一體，形成一個過渡層從而大大改善了膜基的結(jié)合強(qiáng)度。如圖6-17所示低能的離子束1用于轟擊靶材，使靶材原子濺射并沉積在基片上;另一個高能的離子束2 起轟擊(注人)作用。

　　離子束轟擊的另一個重要作用是，在室溫或近室溫下能合成具有良好性能的合金、化合物或特種膜層，以滿足對材料表面改性的需要。轟擊離子既可以是***氣體原子如Xe、AI、Ne、He 等，也可以是反應(yīng)氣體原子如 N、O、H 以及各種***化合物氣體。這種離子束輔助沉積可以看成是物理氣相沉積，和離子注人兩種技術(shù)改造后***地結(jié)合在一起。雖然使用的離子能量比一般離子注人低，不需要加速器這類昂貴的設(shè)備，但是比一般氣相沉積設(shè)備還是要貴得多。從應(yīng)用看，這種技術(shù)適用于要求精度高、耐磨性特別好的工模具上，例如處理壓印***幣的模具，對印出的金、銀幣要求花紋一致，且重量也須嚴(yán)格控制。

　　總之，由于 PVD法具有沉積溫度低(通常小于550 ℃)、沉積層成分各結(jié)構(gòu)可以控制、工件幾乎無變形及***等優(yōu)點(diǎn)，因此適用于冷作模具尤其是要求精度很高的冷作模具。采用多弧離子鍍法在沖孔模上進(jìn)行 TiN 涂層處理，凸模的壽命提高了近5 倍;65Nb 和 LM2 鋼制造的電池沖模采用PVD沉積TiN，也大大提高了硬度，減小了摩擦力，其使用壽命由常規(guī)處理6-10 萬件提高到20 萬件以上。但是 PVD 法也存在著自身的缺點(diǎn)，如繞鍍性比較差，不適合對有小孔、凹槽等復(fù)雜形狀模具的處理，而且 PVD 設(shè)備成本較高，膜基結(jié)合強(qiáng)度較差。

　　來源：《模具材料與表面處理》