本篇文章給大家談?wù)勅樟⒔饘賔t-3納米晶，以及帥哥稀有對應(yīng)的知識點，希望對各位有所幫助。

非晶合金的發(fā)展簡史

1960年美國Duwez教授發(fā)明用快淬工藝制備非晶態(tài)合金為始。其間，非晶軟磁合金的發(fā)展大體上經(jīng)歷了兩個階段：第一個階段從1967年開始，直到1988年。1984年美國四個變壓器廠家在IEEE會議上展示實用非晶配電變壓器則標(biāo)志著第一階段達(dá)到高潮，到1989年，美國AlliedSignal公司已經(jīng)具有年產(chǎn)6萬噸非晶帶材的生產(chǎn)能力，全世界約有100萬臺非晶配電變壓器投入運行，所用鐵基非晶帶材幾乎全部來源于該公司。從1988年開始，非晶態(tài)材料發(fā)展進(jìn)入第二階段。這個階段具有標(biāo)志性的事件是鐵基納米晶合金的發(fā)明。1988年日本日立金屬公司的Yashiwa等人在非晶合金基礎(chǔ)上通過晶化處理開發(fā)出納米晶軟磁合金（Finemet）。1988年當(dāng)年，日立金屬公司納米晶合金實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化，并有產(chǎn)品推向市場。1992年德國VAC公司開始推出納米晶合金替代鈷基非晶合金，尤其在網(wǎng)絡(luò)接口設(shè)備上，如ISDN，大量采用納米晶磁芯制作接口變壓器和數(shù)字濾波器件。

資產(chǎn)配置債券與銀行存款占比的關(guān)系

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超微晶合金高頻磁特性檢測中的波形調(diào)理

超微晶合金高頻磁特性檢測中的波形調(diào)理

方案，在此基礎(chǔ)上完成了高頻下超微晶合金磁滯回線的動態(tài)測量并對其損耗特性進(jìn)行了分析。

1 超微晶高頻磁特性測量過程中非對稱波形畸變的產(chǎn)生原因

根據(jù)IEC-60404-10的建議，本文采用環(huán)形樣件搭建了超微晶高頻磁特性實驗系統(tǒng)。最初的實驗原理圖如圖1所示。功放的信號源由NI公司的多功能數(shù)據(jù)采集卡提供。初級電流與次級感應(yīng)電壓分別由示波器電流探頭與電壓探頭獲得。由于當(dāng)磁場較小時，兩個信號都非常弱，信號先由前置電壓放大器SR560進(jìn)行放大，然后由示波器進(jìn)行采集。示波器采樣率高達(dá)1 GHz，保證了高頻情況下也能得到

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足夠多的采樣點。樣件中的磁通密度B與磁場強度H可以由下式獲得：

B=-■■u2dt（1）

H=■（2）

式中：N1、N2——初級與次級繞組的匝數(shù)；

S、lm——磁芯的截面積與磁路有效長度；

I1——勵磁電流；

u2——次級感應(yīng)電壓。

如圖2所示，在測試的過程中，在激磁電壓保證正弦的條件下，超微晶合金的勵磁電流出現(xiàn)了非對稱分量，并且隨著電壓升高，次級電壓波形也出現(xiàn)了不同程度的畸變。這一非對稱分量反映到磁場量上就會形成一個非對

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稱的磁滯回線，從而對損耗的計算產(chǎn)生一定的誤差。

然而，這一非對稱的磁場分量并不是一成不變的，它隨著磁通密度的大小而改變。在勵磁電壓保證正弦對稱的條件下仍出現(xiàn)一個很小的直流磁場偏置。產(chǎn)生這種現(xiàn)象的原因十分復(fù)雜，歸納起來主要有3點：1）超微晶合金具有超高的磁導(dǎo)率，任何空間中微弱的偏置磁場都會對實驗產(chǎn)生影響。2）雖然電壓對稱，但是超微晶磁化在測試過程中初級繞組浮地，信號源的地與超微晶測試系統(tǒng)的地有電壓差，從而產(chǎn)生非對稱電流，最終引起直流偏磁。3）超微晶合金本身對退火十分敏感，不同的退火條件對材料磁性能影響很大。在退火過程中，材料可能存在非對稱的應(yīng)力，從而導(dǎo)致正向磁化與負(fù)向磁化的磁導(dǎo)

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率不同，最終反映在激磁電感的非對稱性上。

由于這種波形的非對稱畸變影響因素較多，即使在實驗電路中添加隔離變壓器，也不能很好地濾除直流磁場的影響。

2 對超微晶合金高頻實驗系統(tǒng)的改進(jìn)

2.1 硬件測試系統(tǒng)的改進(jìn)

考慮到波形的非對稱畸變實際上是一個直流偏磁，要消除這一現(xiàn)象需人為產(chǎn)生一個直流磁場來補償?shù)舨牧媳旧聿粚ΨQ而產(chǎn)生的直流偏置。改進(jìn)后的實驗系統(tǒng)如圖3所示。

為了更好地實現(xiàn)波形的控制，NI PXI控制器被應(yīng)用到測控系統(tǒng)中，通過對采集來的信號在LabVIEW中進(jìn)行處理，實現(xiàn)了全自動的測

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量。在整個系統(tǒng)中，額外添加了一套直流繞組，通過觀察實際測試過程中波形的偏移量，調(diào)節(jié)直流電流的輸出，產(chǎn)生一個相反的磁場，從而達(dá)到直流偏磁補償?shù)哪康?。圖中L為阻尼電抗，對直流側(cè)的電流分量起到抑制作用。在測試過程中，電流探頭與電壓探頭需要加裝前置放大以滿足采集系統(tǒng)的輸入范圍。為了保證磁通密度B一直為正弦變化，基于時域的波形迭代算法被應(yīng)用在整個測控系統(tǒng)中。

3 結(jié)束語

本文對超微晶高頻磁特性測量過程中所產(chǎn)生的一些實驗問題作了一些探討。首先，分析了在

測試過程中產(chǎn)生波形非對稱畸變的原因；其

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次，在此基礎(chǔ)上對整體實驗系統(tǒng)的軟硬件進(jìn)行了重新設(shè)計，提出了第3繞組補償以及一種基于時域反饋迭代算法，很好的補償了波形；最后，測量了日立金屬所提供的FT-3M磁芯的磁滯回線與損耗曲線，驗證了方法的可行性。參考文獻(xiàn)

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第 7 頁

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第 8 頁

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第 9 頁

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超微晶磁環(huán)降低紋波的原因

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晶體管結(jié)構(gòu)的邊緣效應(yīng)有哪些

（一）晶體管的結(jié)構(gòu)特性

1．晶體管的結(jié)構(gòu)??晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。晶體管的兩個PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極之間）和發(fā)射結(jié)（B、E極之間），發(fā)射結(jié)與集電結(jié)之間為基區(qū)。

根據(jù)結(jié)構(gòu)不同，晶體管可分為PNP型和NPN型兩類。在電路圖形符號上可以看出兩種類型晶體管的發(fā)射極箭頭（代表集電極電流的方向）不同。PNP型晶體管的發(fā)射極箭頭朝內(nèi)，NPN型晶體管的發(fā)射極箭頭朝外。

2．三極管各個電極的作用及電流分配??晶體管三個電極的電極的作用如下：

發(fā)射極（E極）用來發(fā)射電子；

基極（B極）用來控制E極發(fā)射電子的數(shù)量；

集電極（C極）用業(yè)收集電子。

晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC

3．晶體管的工作條件??晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)晶體管的基極電流發(fā)生變化時，其集電極電流將發(fā)生更大的變化或在晶體管具備了工作條件后，若從基極加入一個較小的信號，則其集電極將會輸出一個較大的信號。

晶體管的基本工作條件是發(fā)射結(jié)（B、E極之間）要加上較低的正向電壓（即正向偏置電壓），集電結(jié)（B、C極之間）要加上較高的反向電壓（即反向偏置電壓）。

晶體管發(fā)射結(jié)的正向偏置電壓約等于PN結(jié)電壓，即硅管為0.6~0.7V，鍺管為0.2~0.3V。集電結(jié)的反向偏置電壓視具體型號而定。

4．晶體管的工作狀態(tài)??晶體管有截止、導(dǎo)通和飽和三種狀態(tài)。

在晶體管不具備工作條件時，它處截止?fàn)顟B(tài)，內(nèi)阻很大，各極電流幾乎為0。

當(dāng)晶體管的發(fā)射結(jié)加下合適的正向偏置電壓、集電結(jié)加上反向偏置電壓時，晶體管導(dǎo)通，其內(nèi)阻變小，各電極均有工作電流產(chǎn)生（IE=IB+IC）。適當(dāng)增大其發(fā)射結(jié)的正向偏置電壓、使基極電流IB增大時，集電極電流IC和發(fā)射極電流IE也會隨之增大。

當(dāng)晶體管發(fā)射結(jié)的正向偏置電壓增大至一定值（硅管等于或略高于0.7V，鍺管等于或略高于0.3V0時，晶體管將從導(dǎo)通放大狀態(tài)進(jìn)入飽和狀態(tài)，此時集電極電流IC將處于較大的恒定狀態(tài)，且已不受基極電流IB控制。晶體管的導(dǎo)通內(nèi)阻很?。ㄏ喈?dāng)于開關(guān)被接通），集電極與發(fā)射極之間的電壓低于發(fā)射結(jié)電壓，集電結(jié)也由反偏狀態(tài)變?yōu)檎珷顟B(tài)。

（二）高頻晶體管

高頻晶體管（指特征頻率大于30MHZ的晶體管）可分為高頻小功率晶體管和高頻大功率晶體管。

常用的國產(chǎn)高頻小功率晶體管有3AG1~3AG4、3AG11~3AG14、3CG3、3CG14、3CG21、3CG9012、3CG9015、3DG6、3DG8、3DG12、3DG130、3DG9011、3DG9013、3DG9014、3DG9043等型號，部分國產(chǎn)高頻小功率晶體管的主要參數(shù)。

常用的進(jìn)口高頻小功率晶體管有2N5551、2N5401、BC148、BC158、BC328、BC548、BC558、9011~9015、S9011~S9015、TEC9011~TEC9015、2SA1015、2SC1815、2SA562、2SC1959、2SA673、2SC1213等型號。?

??2．高頻中、大功率晶體管??高頻中、大功率晶體管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補驅(qū)動電路、高壓開關(guān)電路及行推動等電路。

常用的國產(chǎn)高頻中、大功率晶體管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A~3DA87E、3DA88A~3DA88E、3DA93A~3DA93D、3DA151A~3DG151D、3DA1~3DA5、3DA100~3DA108、3DA14A~3DA14D、3DA30A~3DA30D、3DG152A~3DG152J、3CA1~3CA9等型號。表5-3是各管的主要參數(shù)。

常用的進(jìn)口高頻中、大功率晶體管有2SA634、2SA636、2SA648A、2SA670、2SB940、2SB734、2SC2068、2SC2258、2SC2371、2SD1266A、2SD966、2SD8829、S8050、S8550、BD135、BD136等型號。

（三）超高頻晶體管

超高頻晶體管也稱微波晶體管，其頻率特性一般高于500MHZ，主要用于電視、雷達(dá)、導(dǎo)航、通信等領(lǐng)域中處理微波波段（300MHZ以上的頻率）的信號。

1．國產(chǎn)超高頻晶體管??常用的國產(chǎn)超高頻晶體管有3AG95、3CG15A~3CG15D、3DG56（2G210）、3DG80（2G211、2G910）、3DG18A~3DG18C、2G711A~2G711E、3DG103、3DG112、3DG145~3DG156、3DG122、3DG123、3DG130~3DG132、3DG140~3DG148、3CG102、3CG113、3CG114、3CG122、3CG132、3CG140、3DA89、3DA819~3DA823等型號。

2．進(jìn)口超高頻晶體管??常用的進(jìn)口超高頻晶體管有2SA130、2SA1855、2SA1886、2SC286~2SC288、2SC464~2SC466、2SD1266、BF769、BF959等型號。

（四）中、低頻晶體管

低頻晶體管的特征頻率一般低于或等于3MHZ，中頻晶體管的特征頻率一般低于30MHZ。

1．中、低頻小功率晶體管??中低頻小功率晶體管主要用于工作頻率較低、功率在1W以下的低頻放大和功率放大等電路中。

????常見的國產(chǎn)低頻小功率晶體管有3AX1~3AX15、3AX21~3AX25、3AX31、3BX31、3AX81、3AX83、3AX51~3AX55、3DX200~3DX204、3CX200~3CX204等型號，表5-7是各管的主要參數(shù)。

常用的進(jìn)口中、低頻小功率晶體管有2SA940、2SC2073、2SC1815、2SB134、2SB135、2N2944~2N2946等型號，各管的主要參數(shù)見表5-8。

2．中、低頻大功率晶體管??中、低頻大功率晶體管一般用在電視機(jī)、音響等家電中作為電源調(diào)整管、開關(guān)管、場輸出管、行輸出管、功率輸出管或用在汽車電子點火電路、逆變器、不間斷電源（UPS）等系統(tǒng)中。

常用的國產(chǎn)低頻大功率晶體管有3DD102、3DD14、3DD15、3DD52、DD01、DD03、D74、3AD6、3AD30、3DA58、DF104等型號。

常用的進(jìn)口中、低頻大功率晶體管有2SA670、2SB337、2SB556K、2SD553Y、2SD1585、2SC1827、2SC2168、BD201~BD204等型號。

（五）互補對管

為了提高功率放大品的輸出功率和效率，減小失真，功率放大器通常采用推挽式功率放大電路，即由兩只互補晶體管分別放大一個完整正弦波的正、負(fù)半周信號。這要求兩只互補晶體管的材料相，?，性能參數(shù)（例如耗散功率PCM、集電極電流ICM、反向電壓VCBO、電流放大系數(shù)hFE、特征頻率fT等）也要盡可能一致使用前應(yīng)進(jìn)行挑選“配對”。

互補對管一般采用異極性對管，即兩只晶體管一只為NPN型管，另一只為PNP型管。

1．大功率互補對管??功率放大器中常用大功率互補對管及其主要參數(shù)。

2．中、小功率互補對管??功率放大器等電路中常用的中。

（六）開關(guān)晶體管

開關(guān)晶體管是一種飽和與截止?fàn)顟B(tài)變換速度較快的晶體管，廣泛應(yīng)用于各種脈沖電路、開關(guān)電路及功率輸出電路中。

開關(guān)晶體管分為小功率開關(guān)晶體管和高反壓大功率開關(guān)晶體管等。

1．小功率開關(guān)晶體管??小功率開關(guān)晶體管一般用于高頻放大電路、脈沖電路、開關(guān)電路及同步分離電路等。

常用的國產(chǎn)小功率開關(guān)晶體管有3AK系列3CK系列和3DK系列，表5-13是各管的主要參數(shù)。

2．高反壓大功率開關(guān)晶體管??高反壓大功率開關(guān)晶體管通常均為硅NPN型，其反向電壓VCBO高于800V，主要用于彩色電視機(jī)、電腦顯示器中作開關(guān)電源管、行輸出管或用于汽車電子點火器、電子鎮(zhèn)流器、逆變器、不間斷電源（UPS）等產(chǎn)品中。

常用的高反壓大功率開關(guān)晶體管有2SD820、2SD850、2SD1401、2SD1403、2SD1432~2SD1433、2SC1942等型號。

（七）帶阻尼行輸出管

帶阻尼行輸出管是將高反壓大功率開關(guān)晶體管與阻尼二極管、保護(hù)電阻封裝為一體構(gòu)成的特殊電子器件，主要用于彩色電視機(jī)或電腦顯示器中。

帶阻尼行輸出管有金屬封裝（TO-3）和塑封（TO-3P）兩種封裝形式。

（八）差分對管

差分對管也稱孿生對管或一體化差分對管，它是將兩只性能參數(shù)相同的晶體管封裝在一起構(gòu)成的電子器件，一般用在音頻放大器或儀器、儀表中作差分輸入放大管。

差分對管有NPN型和PNP型兩種結(jié)構(gòu)。常見的國產(chǎn)NPN型差分對管有3DG06A~3DG06D等型號。PNP型差分對管有3CSG3、ECM1A等型號。

常見的進(jìn)口NPN型差分對管有2SC1583等型號，PNP型差分對管有2SA798等型號。

（九）達(dá)林頓管

達(dá)林頓管也稱復(fù)合晶體管，具有較大的電流放大系數(shù)及較高的輸入阻抗。它又分為普通達(dá)林頓管和大功率達(dá)林頓管。

1．普通達(dá)林頓管??普通達(dá)林頓管通常由兩只晶體管或多只晶體管復(fù)合連接而成，內(nèi)部不帶保護(hù)電路，耗散功率在2W以下。圖5-9是普通達(dá)林頓管的基本電路。

普通達(dá)林頓管一般采用TO-92塑料封裝，主要用于高增益放大電路或繼電器驅(qū)動電路等。常用的普通達(dá)林頓管有PN020、MP-SA6266等型號。

2．大功率達(dá)林頓管??大功率達(dá)林頓管在普通達(dá)林頓管的基礎(chǔ)上，增加了由泄放電阻和續(xù)流二極管組成的保護(hù)電路，穩(wěn)定性較高，驅(qū)動電流更大。

大功率達(dá)林頓管一般采用TO-3金屬封裝或采用TO-126、TO-220、TO-3P等外形塑料封裝，主要用于音頻功率放大、電源穩(wěn)壓、大電流驅(qū)動、開關(guān)控制等電路。?

（十）帶阻晶體管

???? ?帶阻晶體管是將一只或兩只電阻器與晶體管連接后封裝在一起構(gòu)成的，作反相器或倒相器，廣泛應(yīng)用于電視機(jī)、影碟機(jī)、錄像機(jī)等家電產(chǎn)品中。其封裝外形有EM3、UMT、SST（美國或歐洲SOT-23）、SMT（SC-59/日本SOT-23）、MPT（SOT-89）、FTR和TO-92等，耗散功率為150~400mW。

1．帶阻晶體管的電路圖形符號及文字符號??帶阻晶體管目前尚無統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)符號，在不同廠家的電子產(chǎn)品中電路圖形符號及文字符號的標(biāo)注方法也不一樣。例如，日立、松下等公司的產(chǎn)品中常用字母“QR”來表示，東芝公司用字母“RN”來表示，飛利浦及NEC（日電）等公司用字母“Q”表示，還有的廠家用“IC”表示，國內(nèi)電子產(chǎn)品中可以使用晶體管的文字符號，即用字母“V”或“VT”來表示。

2．常用的帶阻晶體管??常用的進(jìn)口帶阻三極管有DTA系列、DTB系列、DTC系列、DTD系列、MRN系列、RN系列、UN系列、KSR系列、FA系列、FN系列、GN系列、GA系列、HC系列、HD系列、HQ系列、HR系列等多種。常用的國產(chǎn)帶阻晶體管有GR系列等。表5-18是帶阻晶體管（除GR系列為國產(chǎn)的，其余均為進(jìn)口的）內(nèi)部電阻器的電阻值。?

（十一）光敏三極管

????? 光敏三極管是具有放大能力的光-電轉(zhuǎn)換三極管，廣泛應(yīng)用于各種光控電路中。

????? 在無光照射時，光敏三極管處于截止?fàn)顟B(tài)，無電信號輸出。光當(dāng)信號照射其基極（受光窗口）時，光敏三極管將導(dǎo)通，從發(fā)射極或集電極輸出放大后的電信號。

??1．光敏三極管的外形及符號??光敏三極管在電路中的文字符號與普通三極管相同，用字母“V”或“VT”表示。?

?

????? 光敏三極管有塑封、金屬封裝（頂部為玻璃鏡窗口）環(huán)氧樹脂、陶瓷等多種封裝結(jié)構(gòu)，引腳也分為兩腳和三腳型。

????? 2．常用的光敏三極管??常用的國產(chǎn)光敏三極管以硅NPN型為主有3DU11~3DU13、3DU21~3DU23、3DU31~3DU33、3DU51A~3DU51C、3DU51~3DU54、3DU111~3DU113、3DU121~3DU123~3DU131~3DU133、3DU311~3DU333、3DU411~3DU433、3DU80等型號，表5-19是各管的主要參數(shù)。

（十二）磁敏三極管

???? ?磁敏三極管是一種對磁場敏感的磁-電轉(zhuǎn)換器件，它可以將磁信號轉(zhuǎn)換成電信號。

???? ?常見的磁敏三極管有3CCM和4CCM等型號。3CCM采用雙極型結(jié)構(gòu)，具有正、反向磁靈敏度極性，有確定的磁敏感面（通常用色點標(biāo)注）。

????? 磁敏三極管一般用于電動機(jī)轉(zhuǎn)速控制、防盜等各種磁控電路中。圖5-18是磁敏三極管的應(yīng)用電路。

（十三）恒流三極管

??? ??恒流三極管是一種可以調(diào)節(jié)和穩(wěn)定電流的特殊器件。它的三個電極分別是陽極（正極）A陰極（負(fù)極）C和控制極G，通過改變恒流三極管控制極的電壓，即可調(diào)節(jié)恒流值的大小。

????? 恒流三極管一般用于限流保護(hù)和恒流標(biāo)準(zhǔn)電源，也可在直流電源等電路中作恒流器件。常用的恒流三極管有3DH010~3DH050等型號，其恒流范圍為5~500Ma，工作電壓為5~80V。

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超微晶合金高頻磁特性檢測中的波形調(diào)理

超微晶合金高頻磁特性檢測中的波形調(diào)理

方案，在此基礎(chǔ)上完成了高頻下超微晶合金磁滯回線的動態(tài)測量并對其損耗特性進(jìn)行了分析。

1 超微晶高頻磁特性測量過程中非對稱波形畸變的產(chǎn)生原因

根據(jù)IEC-60404-10的建議，本文采用環(huán)形樣件搭建了超微晶高頻磁特性實驗系統(tǒng)。最初的實驗原理圖如圖1所示。功放的信號源由NI公司的多功能數(shù)據(jù)采集卡提供。初級電流與次級感應(yīng)電壓分別由示波器電流探頭與電壓探頭獲得。由于當(dāng)磁場較小時，兩個信號都非常弱，信號先由前置電壓放大器SR560進(jìn)行放大，然后由示波器進(jìn)行采集。示波器采樣率高達(dá)1 GHz，保證了高頻情況下也能得到

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足夠多的采樣點。樣件中的磁通密度B與磁場強度H可以由下式獲得：

B=-■■u2dt（1）

H=■（2）

式中：N1、N2——初級與次級繞組的匝數(shù)；

S、lm——磁芯的截面積與磁路有效長度；

I1——勵磁電流；

u2——次級感應(yīng)電壓。

如圖2所示，在測試的過程中，在激磁電壓保證正弦的條件下，超微晶合金的勵磁電流出現(xiàn)了非對稱分量，并且隨著電壓升高，次級電壓波形也出現(xiàn)了不同程度的畸變。這一非對稱分量反映到磁場量上就會形成一個非對

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稱的磁滯回線，從而對損耗的計算產(chǎn)生一定的誤差。

然而，這一非對稱的磁場分量并不是一成不變的，它隨著磁通密度的大小而改變。在勵磁電壓保證正弦對稱的條件下仍出現(xiàn)一個很小的直流磁場偏置。產(chǎn)生這種現(xiàn)象的原因十分復(fù)雜，歸納起來主要有3點：1）超微晶合金具有超高的磁導(dǎo)率，任何空間中微弱的偏置磁場都會對實驗產(chǎn)生影響。2）雖然電壓對稱，但是超微晶磁化在測試過程中初級繞組浮地，信號源的地與超微晶測試系統(tǒng)的地有電壓差，從而產(chǎn)生非對稱電流，最終引起直流偏磁。3）超微晶合金本身對退火十分敏感，不同的退火條件對材料磁性能影響很大。在退火過程中，材料可能存在非對稱的應(yīng)力，從而導(dǎo)致正向磁化與負(fù)向磁化的磁導(dǎo)

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率不同，最終反映在激磁電感的非對稱性上。

由于這種波形的非對稱畸變影響因素較多，即使在實驗電路中添加隔離變壓器，也不能很好地濾除直流磁場的影響。

2 對超微晶合金高頻實驗系統(tǒng)的改進(jìn)

2.1 硬件測試系統(tǒng)的改進(jìn)

考慮到波形的非對稱畸變實際上是一個直流偏磁，要消除這一現(xiàn)象需人為產(chǎn)生一個直流磁場來補償?shù)舨牧媳旧聿粚ΨQ而產(chǎn)生的直流偏置。改進(jìn)后的實驗系統(tǒng)如圖3所示。

為了更好地實現(xiàn)波形的控制，NI PXI控制器被應(yīng)用到測控系統(tǒng)中，通過對采集來的信號在LabVIEW中進(jìn)行處理，實現(xiàn)了全自動的測

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量。在整個系統(tǒng)中，額外添加了一套直流繞組，通過觀察實際測試過程中波形的偏移量，調(diào)節(jié)直流電流的輸出，產(chǎn)生一個相反的磁場，從而達(dá)到直流偏磁補償?shù)哪康摹D中L為阻尼電抗，對直流側(cè)的電流分量起到抑制作用。在測試過程中，電流探頭與電壓探頭需要加裝前置放大以滿足采集系統(tǒng)的輸入范圍。為了保證磁通密度B一直為正弦變化，基于時域的波形迭代算法被應(yīng)用在整個測控系統(tǒng)中。

3 結(jié)束語

本文對超微晶高頻磁特性測量過程中所產(chǎn)生的一些實驗問題作了一些探討。首先，分析了在

測試過程中產(chǎn)生波形非對稱畸變的原因；其

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次，在此基礎(chǔ)上對整體實驗系統(tǒng)的軟硬件進(jìn)行了重新設(shè)計，提出了第3繞組補償以及一種基于時域反饋迭代算法，很好的補償了波形；最后，測量了日立金屬所提供的FT-3M磁芯的磁滯回線與損耗曲線，驗證了方法的可行性。參考文獻(xiàn)

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第 9 頁

（編輯：劉楊）

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超微晶磁環(huán)降低紋波的原因

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