今天給各位分享日立金屬的陶瓷基板在哪兒生產(chǎn)的知識(shí)，其中也會(huì)對(duì)日立金屬的陶瓷基板在哪兒生產(chǎn)出來(lái)的進(jìn)行解釋，現(xiàn)在開(kāi)始吧！

陶瓷基板pcb工藝流程

陶瓷基板pcb工藝流程

陶瓷基板pcb工藝流程，陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁（Al2O3）或氮化鋁（AlN）陶瓷基片表面（ 單面或雙面）上的特殊工藝板。下面來(lái)看看陶瓷基板pcb工藝流程。

陶瓷基板pcb工藝流程1

1、鉆孔

陶瓷基板一般都采用激光打孔的方式，相比于傳統(tǒng)的打孔技術(shù)，激光打孔技術(shù)具有精準(zhǔn)度高、速度快、效率高、可規(guī)?；炕蚩?、適用于絕大多數(shù)硬、軟材料、對(duì)工具無(wú)損耗等優(yōu)勢(shì)，符合印刷電路板高密度互連，精細(xì)化發(fā)展。

通過(guò)激光打孔工藝的陶瓷基板具有陶瓷與金屬結(jié)合力高、不存在脫落、起泡等現(xiàn)象，達(dá)到生長(zhǎng)在一起的效果，表面平整度高、粗糙率在0.1m～0.3m，激光打孔孔徑在0.15mm-0.5mm、甚者能達(dá)到0.06mm。

2、覆銅

覆銅是指在電路板上沒(méi)有布線的區(qū)域覆上銅箔，與地線相連，以增大地線面積，減小環(huán)路面積，降低壓降，提高電源效率和抗干擾能力。覆銅除了能減小地線阻抗，同時(shí)具有減小環(huán)路截面積，增強(qiáng)信號(hào)鏡像環(huán)路等作用。因此，覆銅工藝在陶瓷基板PCB工藝中起著非常關(guān)鍵的作用，不完整、截?cái)噻R像環(huán)路或位置不正確的銅層經(jīng)常會(huì)導(dǎo)致新的干擾，對(duì)電路板的使用產(chǎn)生消極影響。

3、蝕刻

陶瓷基板也需要蝕刻，電路圖形上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后通過(guò)化學(xué)方式將未受保護(hù)的非導(dǎo)體部分的銅蝕刻掉，形成電路。 蝕刻分為內(nèi)層蝕刻和外層蝕刻，內(nèi)層蝕刻采用酸性蝕刻，用濕膜或者干膜作為抗蝕劑；外層蝕刻采用堿性蝕刻，用錫鉛作為抗蝕劑。

陶瓷基板pcb工藝流程2

電路板廠陶瓷產(chǎn)品的制造工藝種類很多。 據(jù)說(shuō)有干壓法、注漿法、擠壓法、注射法、流延方法和等靜壓法等30多種制造工藝方法，由于電子陶瓷基板是“平板”型，形狀不復(fù)雜，采用干法成型和加工等的制造工藝簡(jiǎn)單，成本低，所以大多采用干壓成型方法。 干壓平板PCB電子陶瓷的制造工藝主要有坯件成型、坯件燒結(jié)和精加工、在基板上形成電路三大內(nèi)容。

1.陶瓷基板的生坯制造（成型）

使用高純氧化鋁（含量≥95% Al2O3）粉末（根據(jù)用途和制造方法需要不同的顆粒大小。例如從幾文盲到幾十微米不等）和添加劑（主要是粘合劑、分散劑等）。 形成“漿料”或加工材料。

(1) 陶瓷基板的干壓法生產(chǎn)生坯件（或“生坯”）。

干壓坯是采用高純氧化鋁（電子陶瓷用氧化鋁含量大于92%，大部分采用99%）粉末（干壓所用顆粒不得超過(guò)60m，用于擠壓、流延、注射等粉末顆粒應(yīng)控制在1m以內(nèi)）加入適量的可塑劑和粘結(jié)劑，混合均勻后干壓制坯。目前，方形或圓片的后代可達(dá)0.50mm，甚至≤0.3mm（與板尺寸有關(guān)）。干壓坯件可以在燒結(jié)前進(jìn)行加工，如外形尺寸和鉆孔的.加工，但要注意燒結(jié)引起的尺寸收縮的補(bǔ)償（放大收縮率的尺寸）。

(2)陶瓷基板流延法生產(chǎn)生坯。

流膠液（氧化鋁粉+溶劑+分散劑+粘合劑+增塑劑等混合均勻+過(guò)篩）制造+流延（在流延機(jī)上將膠水涂在金屬或耐熱聚酯帶上）調(diào)高）+干燥+修邊（也可進(jìn)行其他加工）+脫脂+燒結(jié)等工序。可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化和規(guī)?；a(chǎn)。

2. 生坯的燒結(jié)和燒結(jié)后精加工。陶瓷基板的生坯部分往往需要進(jìn)行“燒結(jié)”和燒結(jié)后精加工。

(1)陶瓷基板生坯的燒結(jié)。

陶瓷坯體的“燒結(jié)”是指通過(guò)“燒結(jié)”過(guò)程，將坯體（體積）中的空洞、空氣、雜質(zhì)和有機(jī)物等進(jìn)行干壓等去除，使其揮發(fā)、燃燒、擠壓，并去除氧化鋁顆粒。實(shí)現(xiàn)緊密接觸或結(jié)合成長(zhǎng)的過(guò)程，所以陶瓷生坯燒結(jié)后，（熟坯）會(huì)出現(xiàn)重量損失、尺寸收縮、形狀變形、抗壓強(qiáng)度增加和氣孔率減少等變化。

陶瓷坯體的燒結(jié)方法有：①常壓燒結(jié)法，無(wú)壓燒結(jié)會(huì)帶來(lái)較大的變形等； ②加壓（熱壓）燒結(jié)法，加壓燒結(jié)，可得到好的平面性產(chǎn)品是最常用的方法；

③熱等靜壓燒結(jié)法是利用高壓高熱氣體進(jìn)行燒結(jié)。其特點(diǎn)產(chǎn)品是在相同溫度和壓力下完成的產(chǎn)品。各種性能均衡的，成本相對(duì)較高。在附加值的產(chǎn)品上，或航空航天、國(guó)防軍工產(chǎn)品中多采用這種燒結(jié)方法，如軍用領(lǐng)域的反射鏡、核燃料、槍管等產(chǎn)品。干壓氧化鋁生坯的燒結(jié)溫度大多在1200℃～1600℃之間（與成分和助熔劑有關(guān)）。

(2)陶瓷基板燒結(jié)后(熟)坯的精加工。

大多數(shù)燒結(jié)陶瓷坯料都需要精加工。目的是： ①獲得平整的表面。生坯在高溫?zé)Y(jié)過(guò)程中，由于生坯內(nèi)的顆粒分布、空隙、雜質(zhì)、有機(jī)物等的不平衡，會(huì)引起變形、不平整或粗糙過(guò)大與差異等。這些缺陷可通過(guò)表面精加工來(lái)解決；

② 獲得高光潔度表面，如鏡面反射，或提高潤(rùn)滑性（耐磨性）。

表面拋光處理是使用拋光材料（如碳化硅、B4C）或金剛石砂膏對(duì)表面進(jìn)行由粗到細(xì)的磨料逐步拋光。一般而言，多采用≤1m的AlO粉末或金剛石砂膏，或用激光或超聲波加工來(lái)實(shí)現(xiàn)。

(3)強(qiáng)（鋼）化處理。

表面拋光后，為提高力學(xué)強(qiáng)度（如抗彎強(qiáng)度等），可采用電子射線真空鍍膜、濺射真空鍍膜、化學(xué)氣相蒸鍍等方法鍍一層硅化合物薄膜，通過(guò)1200℃～1600℃熱處理，可顯著提高陶瓷坯件的力學(xué)強(qiáng)度！

3.在基板上形成導(dǎo)電圖形（電路）

要在陶瓷基板上加工形成導(dǎo)電圖形（電路），必須先制造覆銅陶瓷基板，然后再按照印刷電路板工藝技術(shù)制造陶瓷印刷電路板。

(1)形成覆銅陶瓷基板。目前有兩種形成覆銅陶瓷基板的方法。

①層壓法。它是由熱壓成型一側(cè)氧化的銅箔和氧化鋁陶瓷基板。即對(duì)陶瓷表面進(jìn)行處理（如激光、等離子等），得到活化或粗糙化的表面，然后按照“銅箔+耐熱粘結(jié)劑層+陶瓷+耐熱粘結(jié)劑層+銅箔”層壓合在一起，經(jīng)1020℃～1060℃燒結(jié)，形成雙面覆銅陶瓷層壓板。

②電鍍法。陶瓷基板經(jīng)等離子處理后進(jìn)行“濺射鈦膜+濺射鎳膜+濺射銅膜，然后常規(guī)電鍍銅至所需銅厚，即形成雙面覆銅陶瓷基板。

(2) 單、雙面陶瓷PCB板制造。按照傳統(tǒng)的PCB制造技術(shù)使用單面和雙面覆銅陶瓷基板。

(3)陶瓷多層板制造。

① 在單、雙面板上反復(fù)涂覆絕緣層（氧化鋁）、燒結(jié)、布線、燒結(jié)形成PCB多層板，或采用流延制造技術(shù)完成。

②陶瓷多層板采用澆鑄法制造。生帶在流延機(jī)上成型，然后鉆孔、塞孔（導(dǎo)電膠等）、印刷（導(dǎo)電電路等）、切割、層壓、等靜壓形成陶瓷多層板。

注：流延成型方法-流膠液（氧化鋁粉+溶劑+分散劑+粘合劑+增塑劑等混合均勻+過(guò)篩）制造+流延（將膠液均勻分布在流延機(jī)上涂在金屬或耐熱聚酯膠帶上）+烘干+修整+脫脂+燒結(jié)等工序。

陶瓷基板pcb工藝流程3

陶瓷基板pcb的優(yōu)點(diǎn)

1、電阻高

2、高頻特性突出

3、具有高熱導(dǎo)率：與材料本身有關(guān)系，陶瓷相比于金屬。樹(shù)脂都具有優(yōu)勢(shì)。

4、化學(xué)穩(wěn)定性佳抗震、耐熱、耐壓、內(nèi)部電路、MARK點(diǎn)等比一般電路基板好點(diǎn)。

5、在印刷、貼片、焊接時(shí)比較精確

陶瓷基板pcb缺點(diǎn)

1、易碎

這是最主要的一個(gè)缺點(diǎn)，目前只能制作小面積的電路板。

2、價(jià)貴

電子產(chǎn)品的要求規(guī)則越來(lái)越多，陶瓷電路板只是滿足滿足一些比較高端的產(chǎn)品上面，低端的產(chǎn)品根本不會(huì)使用到。

陶瓷基板pcb

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁（Al2O3）或氮化鋁（AlN）陶瓷基片表面（ 單面或雙面）上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強(qiáng)度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。

ic銷售請(qǐng)教

IC的流程，IC的銷售(轉(zhuǎn))

一般來(lái)說(shuō)我們對(duì)IC 的概念只停留在它是芯片或集成電路，或者是外觀五花八門的小小的東西上面。對(duì)它究竟是什么？它是怎么來(lái)？它為什么外表各種各樣？我們的了解可能不是很多，下面通過(guò)對(duì)IC 的生產(chǎn)工序流程和其結(jié)構(gòu)發(fā)展歷史方面的簡(jiǎn)述，希望讓大家對(duì)IC 大體上有一個(gè)初步的把握。一， 電子元器件的相關(guān)概念和分類 1， 概念電子元器件： 分為半導(dǎo)體器件和電子元件，它們是電子工業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)，它們是組成電子設(shè)備的基本單元，屬于電子工業(yè)的中間產(chǎn)品。 IC（集成電路）是電子元器件中的一種半導(dǎo)體器件。微電子技術(shù)： 一個(gè)國(guó)家的核心技術(shù)是指微電子技術(shù)，而微電子技術(shù)是指能夠處理更加微小的電磁信號(hào)的技術(shù)，所謂微電是區(qū)別于強(qiáng)電（例如照明用電）和弱電（例如電話線路）而言。微電子技術(shù)的代表就是IC 技術(shù)，主要產(chǎn)品就是IC。 2， 分類電子元器件分兩類：半導(dǎo)體器件和電子元件半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體分立器件，半導(dǎo)體集成電路，特殊功能的半導(dǎo)體器件，其它器件。電子元件包括：電阻，電容，電感/線圈，電位器，變壓器，繼電器，傳感器，晶體，開(kāi)關(guān)，電池/電源，接插件/連接器，其他電子元件。二， IC的生產(chǎn)工序流程普通硅沙（石英砂，沙子）－－分子拉晶（提煉）－－晶柱（圓柱形晶體）－－晶圓（把晶柱切割成圓形薄片）－－光刻（俗稱流片，即先設(shè)計(jì)好電路圖，通過(guò)激光暴光，刻到晶圓的電路單元上）－－切割成管芯（裸芯片）－－封裝（也就是把管芯的電路管腳，用導(dǎo)線接到外部接頭，以便與其它器件連接。）詳細(xì)流程注解： 1， 業(yè)已確認(rèn)，占地殼物質(zhì)達(dá)到28%的石英在地表層呈現(xiàn)為石英砂石礦。用電弧爐冶煉石英砂將其轉(zhuǎn)變成冶金等級(jí)硅。通過(guò)一步一步去除雜質(zhì)的處理工藝過(guò)程，硅經(jīng)歷液態(tài)，蒸餾并最終再沉積成為半導(dǎo)體等級(jí)的硅棒，其硅的純度達(dá)到99.999999%。隨后，這些硅棒被機(jī)械粉碎成塊并裝入石英坩堝爐中加熱熔化至1420攝氏度。 2， 將一個(gè)單晶籽晶（種）導(dǎo)入熔化過(guò)程中，隨著籽晶轉(zhuǎn)動(dòng)，晶體漸漸生長(zhǎng)出來(lái)。幾天之后，慢慢地將單晶提取出來(lái)，結(jié)果得到一根一米多長(zhǎng)的硅棒，視其直徑大小，硅棒的價(jià)值可高達(dá)8000美元到16000美元。這些純硅單晶棒，每根重量達(dá)到（120公斤）； 3， 隨后被金剛石鋸床切成薄薄的圓晶片。這些薄片再經(jīng)過(guò)洗滌、拋光、清潔和接受入眼檢測(cè)與機(jī)器檢測(cè)；最后通過(guò)激光掃描發(fā)現(xiàn)小于人的頭發(fā)絲寬度的1/300的表面缺陷及雜質(zhì)，合格的圓晶片交付給芯片生產(chǎn)廠商。 4， 芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)好電路版圖，完整的設(shè)計(jì)圖傳送給主計(jì)算機(jī)并經(jīng)電子束曝光機(jī)進(jìn)行處理，將這些設(shè)計(jì)圖“刻寫”在置于一塊石英玻璃上的金屬薄膜上，制造出掩膜。制作芯片是對(duì)薄膜進(jìn)行重復(fù)進(jìn)行涂光敏膠、光刻和腐蝕的組合處理，掩膜起著一個(gè)很像照相制版的負(fù)片作用。精確調(diào)準(zhǔn)每個(gè)掩膜最為重要：如果一個(gè)掩膜偏離幾分之一微米（百萬(wàn)分之一），則整個(gè)硅圓片就報(bào)廢不能用。當(dāng)光通過(guò)掩膜照射，電路圖就“印制”在硅晶片上。每一個(gè)芯片大約需用20個(gè)掩膜，這些掩膜要在整個(gè)工藝過(guò)程棗從硅圓片到制造最終的芯片包括幾百個(gè)工藝的流程的不同的位置點(diǎn)上定位。最終一塊硅圓片能夠做出一定數(shù)量的芯片。 5， 一旦完成芯片制作過(guò)程，硅圓片在金剛石切割機(jī)床上被分切成單個(gè)的芯片，到此的單個(gè)芯片被稱為“管芯”（DIE）。將每個(gè)管芯分隔放置在一個(gè)無(wú)靜電的平板框中，并傳送至下一步，管芯被插裝進(jìn)它的封裝中。芯片封裝保護(hù)管芯避免受環(huán)境因素影響，同時(shí)提供管芯和電路板通訊所必需的電連接，封裝好的芯片在隨后的使用中將要安裝固定在電路板上。三， IC整體結(jié)構(gòu)的發(fā)展歷史 1， IC封裝結(jié)構(gòu)發(fā)展歷史 TO 型（Transistor Outline 晶體管外形封裝）－－DIP 型（Dual Inline Package 雙列直插式封裝）－－LCC 型（Lead Chip Carrier 芯片載體封裝）－－QFP 型（Quad Flat Package 方型扁平式封裝）－－PGA 型(Pin Grid Array 插針網(wǎng)格陣列封裝) －－BGA 型（Ball Grid Array 球柵陣列封裝）－－CSP 型（Chip Size Package 芯片尺寸封裝）－－MCM 型(Multi Chip Model 多芯片模塊系統(tǒng)) 詳細(xì)封裝歷史注解： 1) 封裝是指把硅片上的電路管腳,用導(dǎo)線接引到外部接頭處,以便與其它器件連接。在foundry（加工廠）生產(chǎn)出來(lái)的芯片都是裸片（die），這種裸片上只有用于封裝的壓焊點(diǎn)（pad），是不能直接應(yīng)用于實(shí)際電路當(dāng)中的。而且裸片極易受外部環(huán)境的溫度、雜質(zhì)和物理作用力的影響，很容易遭到破壞，所以必須封入一個(gè)密閉空間內(nèi)，引出相應(yīng)的引腳，才能作為一個(gè)基本的元器件使用。 IC 封裝就是做的就是這種工作，通過(guò)金線邦定pad 和封裝引腳，并采用強(qiáng)度較高的外殼將裸片包住，只露出引腳，就成了可以直接焊接在PCB 板上的元器件。通常，封裝和測(cè)試都是一體的，即做完封裝后直接進(jìn)行產(chǎn)品的測(cè)試工作，包括功能、性能和各種電氣特性。測(cè)試完的產(chǎn)品可以直接提交給設(shè)計(jì)公司上市銷售。衡量一個(gè)芯片封裝技術(shù)先進(jìn)與否的重要指標(biāo)是芯片面積與封裝面積之比，這個(gè)比值越接近1越好。封裝時(shí)主要考慮的因素： a）芯片面積與封裝面積之比為提高封裝效率，盡量接近1：1； b) 引腳要盡量短以減少延遲，引腳間的距離盡量遠(yuǎn)，以保證互不干擾，提高性能； c) 基于散熱的要求，封裝越薄越好。 2) IC 的封裝一開(kāi)始是TO 型（Transistor Outline 晶體管外形封裝），但是由于它的缺點(diǎn)較明顯，到了70 年代流行的是雙列直插封裝，簡(jiǎn)稱 DIP(Dual In-line Package)。DIP封裝結(jié)構(gòu)具有以下特點(diǎn)： a) 適合在PCB(印刷電路板)上穿孔焊接，對(duì)比TO型封裝，易于對(duì)PCB布線，操作方便。 b) 芯片面積與封裝面積之間的比值較大，故體積也較大。 DIP封裝結(jié)構(gòu)形式有： 多層陶瓷雙列直插式DIP，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線?？蚣苁紻IP(含玻璃陶瓷封接式，塑料包封結(jié)構(gòu)式，陶瓷低熔玻璃封裝式)。衡量一個(gè)芯片封裝技術(shù)先進(jìn)與否的重要指標(biāo)是芯片面積與封裝面積之比，這個(gè)比值越接近1越好。以采用40 根I/O引腳塑料包封雙列直插式封裝(PDIP) 為例，其芯片面積/封裝面積=33/15.2450=1：86,離1相差很遠(yuǎn)。不難看出，這種封裝尺寸遠(yuǎn)比芯片大，說(shuō)明封裝效率很低，占去了很多有效安裝面積。 3) 80年代出現(xiàn)了芯片載體封裝，簡(jiǎn)稱LCC(Lead Chip Carrier), 其中有陶瓷無(wú)引線芯片載體LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)、塑料有引線芯片載體PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier) 、小尺寸封裝 SOP(Small Outline Package) 、塑料四邊引出扁平封裝 PQFP(Plastic Quad Flat Package)。 4) PQFP塑料方型扁平式封裝和PFP塑料扁平組件式封裝 PQFP（Plastic Quad Flat Package）封裝的芯片引腳之間距離很小，管腳很細(xì)，一般大規(guī)?；虺笮图呻娐范疾捎眠@種封裝形式，其引腳數(shù)一般在 100 個(gè)以上。用這種形式封裝的芯片必須采用SMD（表面安裝設(shè)備技術(shù)）將芯片與主板焊接起來(lái)。采用SMD 安裝的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有設(shè)計(jì)好的相應(yīng)管腳的焊點(diǎn)。將芯片各腳對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的焊點(diǎn)，即可實(shí)現(xiàn)與主板的焊接。用這種方法焊上去的芯片，如果不用專用工具是很難拆卸下來(lái)的。 PFP（Plastic Flat Package）方式封裝的芯片與PQFP方式基本相同。唯一的區(qū)別是PQFP一般為正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是長(zhǎng)方形。以0.5mm焊區(qū)中心距，208 根I/O引腳的QFP 封裝為例，外形尺寸2828mm ，芯片尺寸1010mm，則芯片面積/封裝面積=1010/2828=1：7.8，由此可見(jiàn)QFP比DIP的封裝尺寸大大減小。QFP的特點(diǎn)是: a）適合用SMD表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線。 b）封裝外形尺寸小，寄生參數(shù)減小，適合高頻應(yīng)用。 c) 操作方便。 d）可靠性高。 5) PGA插針網(wǎng)格陣列封裝 PGA(Pin Grid Array Package)芯片封裝形式在芯片的內(nèi)外有多個(gè)方陣形的插針，每個(gè)方陣形插針沿芯片的四周間隔一定距離排列。根據(jù)引腳數(shù)目的多少，可以圍成2-5圈。安裝時(shí)，將芯片插入專門的PGA插座。PGA 封裝具有以下特點(diǎn)： a）插拔操作更方便，可靠性高。 b）可適應(yīng)更高的頻率。 6) BGA球柵陣列封裝 90 年代，隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，對(duì)集成電路的封裝要求更加嚴(yán)格。這是因?yàn)榉庋b技術(shù)關(guān)系到產(chǎn)品的功能性，當(dāng)IC 的頻率超過(guò)100MHz 時(shí)，傳統(tǒng)封裝方式可能會(huì)產(chǎn)生所謂的“CrossTalk”現(xiàn)象，而且當(dāng)IC 的管腳數(shù)大于208 Pin時(shí)，傳統(tǒng)的封裝方式有其困難度。因此，除使用QFP封裝方式外，現(xiàn)今大多數(shù)的高腳數(shù)芯片（如圖形芯片與芯片組等）皆轉(zhuǎn)而使用BGA(Ball Grid Array Package)封裝技術(shù)。BGA一出現(xiàn)便成為CPU、主板上南/北橋芯片等高密度、高性能、多引腳封裝的最佳選擇。 BGA封裝技術(shù)又可詳分為五大類： a） PBGA（Plasric BGA）基板：一般為2-4層有機(jī)材料構(gòu)成的多層板。。 b) CBGA（CeramicBGA）基板：即陶瓷基板，芯片與基板間的電氣連接通常采用倒裝芯片（FlipChip，簡(jiǎn)稱FC）的安裝方式。 c) FCBGA（FilpChipBGA）基板：硬質(zhì)多層基板。 d) TBGA（TapeBGA）基板：基板為帶狀軟質(zhì)的1-2層PCB電路板。 e) CDPBGA（Carity Down PBGA）基板：指封裝中央有方型低陷的芯片區(qū)（又稱空腔區(qū)）。 BGA封裝具有以下特點(diǎn)： a) I/O引腳數(shù)雖然增多，但引腳之間的距離遠(yuǎn)大于QFP封裝方式，提高了成品率。 b) 雖然BGA 的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，從而可以改善電熱性能。 c) 信號(hào)傳輸延遲小，適應(yīng)頻率大大提高。 d) 組裝可用共面焊接，可靠性大大提高。 7) CSP芯片尺寸封裝隨著全球電子產(chǎn)品個(gè)性化、輕巧化的需求蔚為風(fēng)潮，1994 年9 月日本三菱電氣研究出CSP(Chip Size Package)封裝。它減小了芯片封裝外形的尺寸，做到裸芯片尺寸有多大，封裝尺寸就有多大。即封裝后的IC 尺寸邊長(zhǎng)不大于芯片的1.2倍，IC面積只比晶粒（Die）大不超過(guò)1.4倍。 CSP封裝又可分為四類： a) Lead Frame Type(傳統(tǒng)導(dǎo)線架形式)，代表廠商有富士通、日立、 Rohm、高士達(dá)（Goldstar）等等。 b) Rigid Interposer Type(硬質(zhì)內(nèi)插板型)，代表廠商有摩托羅拉、索尼、東芝、松下等等。 c) Flexible Interposer Type(軟質(zhì)內(nèi)插板型)，其中最有名的是Tessera 公司的microBGA，CTS 的sim-BGA 也采用相同的原理。其他代表廠商包括通用電氣（GE）和NEC。 d) Wafer Level Package(晶圓尺寸封裝)：有別于傳統(tǒng)的單一芯片封裝方式，WLCSP是將整片晶圓切割為一顆顆的單一芯片，它號(hào)稱是封裝技術(shù)的未來(lái)主流，已投入研發(fā)的廠商包括FCT、Aptos、卡西歐、EPIC、富士通、三菱電子等。 CSP封裝具有以下特點(diǎn)： a) 滿足了芯片I/O引腳不斷增加的需要。 b) 芯片面積與封裝面積之間的比值很小。 c) 極大地縮短延遲時(shí)間。 CSP 封裝適用于腳數(shù)少的IC，如內(nèi)存條和便攜電子產(chǎn)品。未來(lái)則將大量應(yīng)用在信息家電（IA）、數(shù)字電視（DTV）、電子書(shū)（E-Book）、無(wú)線網(wǎng)絡(luò) WLAN／GigabitEthemet、ADSL／手機(jī)芯片、藍(lán)芽（Bluetooth）等新興產(chǎn)品中。 8) 為解決單一芯片集成度低和功能不夠完善的問(wèn)題，把多個(gè)高集成度、高性能、高可靠性的芯片，在高密度多層互聯(lián)基板上用SMD技術(shù)組成多種多樣的電子模塊系統(tǒng)，從而出現(xiàn)MCM(Multi Chip Model)多芯片模塊系統(tǒng)。 MCM具有以下特點(diǎn)： a) 封裝延遲時(shí)間縮小，易于實(shí)現(xiàn)模塊高速化。 b) 縮小整機(jī)/模塊的封裝尺寸和重量。 c) 系統(tǒng)可靠性大大提高。 2， IC原材料發(fā)展歷史：金屬、陶瓷原材料－－陶瓷、塑料原材料－－塑料原材料 3， IC引腳形狀發(fā)展歷史長(zhǎng)引線直插型－－短引線或無(wú)引線貼裝型－－球狀突點(diǎn)型 4， IC裝配方式發(fā)展歷史通孔插裝－－表面組裝－－直接安裝

芯片封裝方式及特點(diǎn)。誰(shuí)能提供一下。

芯片封裝技術(shù)

我們經(jīng)常聽(tīng)說(shuō)某某芯片采用什么什么的封裝方式，在我們的電腦中，存在著各種各樣不同處理芯片，那么，它們又是是采用何種封裝形式呢？并且這些封裝形式又有什么樣的技術(shù)特點(diǎn)以及優(yōu)越性呢？那么就請(qǐng)看看下面的這篇文章，將為你介紹各種芯片封裝形式的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)。

一、DIP雙列直插式封裝

DIP(DualIn－line Package)是指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，絕大多數(shù)中小規(guī)模集成電路(IC)均采用這種封裝形式，其引腳數(shù)一般不超過(guò)100個(gè)。采用DIP封裝的CPU芯片有兩排引腳，需要插入到具有DIP結(jié)構(gòu)的芯片插座上。當(dāng)然，也可以直接插在有相同焊孔數(shù)和幾何排列的電路板上進(jìn)行焊接。DIP封裝的芯片在從芯片插座上插拔時(shí)應(yīng)特別小心，以免損壞引腳。

DIP封裝具有以下特點(diǎn)：

1.適合在PCB(印刷電路板)上穿孔焊接，操作方便。

2.芯片面積與封裝面積之間的比值較大，故體積也較大。

Intel系列CPU中8088就采用這種封裝形式，緩存(Cache)和早期的內(nèi)存芯片也是這種封裝形式。

二、QFP塑料方型扁平式封裝和PFP塑料扁平組件式封裝

QFP（Plastic Quad Flat Package）封裝的芯片引腳之間距離很小，管腳很細(xì)，一般大規(guī)?；虺笮图呻娐范疾捎眠@種封裝形式，其引腳數(shù)一般在100個(gè)以上。用這種形式封裝的芯片必須采用SMD（表面安裝設(shè)備技術(shù)）將芯片與主板焊接起來(lái)。采用SMD安裝的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有設(shè)計(jì)好的相應(yīng)管腳的焊點(diǎn)。將芯片各腳對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的焊點(diǎn)，即可實(shí)現(xiàn)與主板的焊接。用這種方法焊上去的芯片，如果不用專用工具是很難拆卸下來(lái)的。

PFP（Plastic Flat Package）方式封裝的芯片與QFP方式基本相同。唯一的區(qū)別是QFP一般為正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是長(zhǎng)方形。

QFP/PFP封裝具有以下特點(diǎn)：

1.適用于SMD表面安裝技術(shù)在PCB電路板上安裝布線。

2.適合高頻使用。

3.操作方便，可靠性高。

4.芯片面積與封裝面積之間的比值較小。

Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用這種封裝形式。

三、PGA插針網(wǎng)格陣列封裝

PGA(Pin Grid Array Package)芯片封裝形式在芯片的內(nèi)外有多個(gè)方陣形的插針，每個(gè)方陣形插針沿芯片的四周間隔一定距離排列。根據(jù)引腳數(shù)目的多少，可以圍成2-5圈。安裝時(shí)，將芯片插入專門的PGA插座。為使CPU能夠更方便地安裝和拆卸，從486芯片開(kāi)始，出現(xiàn)一種名為ZIF的CPU插座，專門用來(lái)滿足PGA封裝的CPU在安裝和拆卸上的要求。

ZIF(Zero Insertion Force Socket)是指零插拔力的插座。把這種插座上的扳手輕輕抬起，CPU就可很容易、輕松地插入插座中。然后將扳手壓回原處，利用插座本身的特殊結(jié)構(gòu)生成的擠壓力，將CPU的引腳與插座牢牢地接觸，絕對(duì)不存在接觸不良的問(wèn)題。而拆卸CPU芯片只需將插座的扳手輕輕抬起，則壓力解除，CPU芯片即可輕松取出。

PGA封裝具有以下特點(diǎn)：

1.插拔操作更方便，可靠性高。

2.可適應(yīng)更高的頻率。

Intel系列CPU中，80486和Pentium、Pentium Pro均采用這種封裝形式。

四、BGA球柵陣列封裝

隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，對(duì)集成電路的封裝要求更加嚴(yán)格。這是因?yàn)榉庋b技術(shù)關(guān)系到產(chǎn)品的功能性，當(dāng)IC的頻率超過(guò)100MHz時(shí)，傳統(tǒng)封裝方式可能會(huì)產(chǎn)生所謂的“CrossTalk”現(xiàn)象，而且當(dāng)IC的管腳數(shù)大于208 Pin時(shí)，傳統(tǒng)的封裝方式有其困難度。因此，除使用QFP封裝方式外，現(xiàn)今大多數(shù)的高腳數(shù)芯片（如圖形芯片與芯片組等）皆轉(zhuǎn)而使用BGA(Ball Grid Array Package)封裝技術(shù)。BGA一出現(xiàn)便成為CPU、主板上南/北橋芯片等高密度、高性能、多引腳封裝的最佳選擇。

BGA封裝技術(shù)又可詳分為五大類：

1.PBGA（Plasric BGA）基板：一般為2-4層有機(jī)材料構(gòu)成的多層板。Intel系列CPU中，Pentium II、III、IV處理器均采用這種封裝形式。

2.CBGA（CeramicBGA）基板：即陶瓷基板，芯片與基板間的電氣連接通常采用倒裝芯片（FlipChip，簡(jiǎn)稱FC）的安裝方式。Intel系列CPU中，Pentium I、II、Pentium Pro處理器均采用過(guò)這種封裝形式。

3.FCBGA（FilpChipBGA）基板：硬質(zhì)多層基板。

4.TBGA（TapeBGA）基板：基板為帶狀軟質(zhì)的1-2層PCB電路板。

5.CDPBGA（Carity Down PBGA）基板：指封裝中央有方型低陷的芯片區(qū)（又稱空腔區(qū)）。

BGA封裝具有以下特點(diǎn)：

1.I/O引腳數(shù)雖然增多，但引腳之間的距離遠(yuǎn)大于QFP封裝方式，提高了成品率。

2.雖然BGA的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，從而可以改善電熱性能。

3.信號(hào)傳輸延遲小，適應(yīng)頻率大大提高。

4.組裝可用共面焊接，可靠性大大提高。

BGA封裝方式經(jīng)過(guò)十多年的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入實(shí)用化階段。1987年，日本西鐵城（Citizen）公司開(kāi)始著手研制塑封球柵面陣列封裝的芯片（即BGA）。而后，摩托羅拉、康柏等公司也隨即加入到開(kāi)發(fā)BGA的行列。1993年，摩托羅拉率先將BGA應(yīng)用于移動(dòng)電話。同年，康柏公司也在工作站、PC電腦上加以應(yīng)用。直到五六年前，Intel公司在電腦CPU中（即奔騰II、奔騰III、奔騰IV等），以及芯片組（如i850）中開(kāi)始使用BGA，這對(duì)BGA應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)展發(fā)揮了推波助瀾的作用。目前，BGA已成為極其熱門的IC封裝技術(shù)，其全球市場(chǎng)規(guī)模在2000年為12億塊，預(yù)計(jì)2005年市場(chǎng)需求將比2000年有70%以上幅度的增長(zhǎng)。

五、CSP芯片尺寸封裝

隨著全球電子產(chǎn)品個(gè)性化、輕巧化的需求蔚為風(fēng)潮，封裝技術(shù)已進(jìn)步到CSP(Chip Size Package)。它減小了芯片封裝外形的尺寸，做到裸芯片尺寸有多大，封裝尺寸就有多大。即封裝后的IC尺寸邊長(zhǎng)不大于芯片的1.2倍，IC面積只比晶粒（Die）大不超過(guò)1.4倍。

CSP封裝又可分為四類：

1.Lead Frame Type(傳統(tǒng)導(dǎo)線架形式)，代表廠商有富士通、日立、Rohm、高士達(dá)（Goldstar）等等。

2.Rigid Interposer Type(硬質(zhì)內(nèi)插板型)，代表廠商有摩托羅拉、索尼、東芝、松下等等。

3.Flexible Interposer Type(軟質(zhì)內(nèi)插板型)，其中最有名的是Tessera公司的microBGA，CTS的sim-BGA也采用相同的原理。其他代表廠商包括通用電氣（GE）和NEC。

4.Wafer Level Package(晶圓尺寸封裝)：有別于傳統(tǒng)的單一芯片封裝方式，WLCSP是將整片晶圓切割為一顆顆的單一芯片，它號(hào)稱是封裝技術(shù)的未來(lái)主流，已投入研發(fā)的廠商包括FCT、Aptos、卡西歐、EPIC、富士通、三菱電子等。

CSP封裝具有以下特點(diǎn)：

1.滿足了芯片I/O引腳不斷增加的需要。

2.芯片面積與封裝面積之間的比值很小。

3.極大地縮短延遲時(shí)間。

CSP封裝適用于腳數(shù)少的IC，如內(nèi)存條和便攜電子產(chǎn)品。未來(lái)則將大量應(yīng)用在信息家電（IA）、數(shù)字電視（DTV）、電子書(shū)（E-Book）、無(wú)線網(wǎng)絡(luò)WLAN／GigabitEthemet、ADSL／手機(jī)芯片、藍(lán)芽（Bluetooth）等新興產(chǎn)品中。

六、MCM多芯片模塊

為解決單一芯片集成度低和功能不夠完善的問(wèn)題，把多個(gè)高集成度、高性能、高可靠性的芯片，在高密度多層互聯(lián)基板上用SMD技術(shù)組成多種多樣的電子模塊系統(tǒng)，從而出現(xiàn)MCM(Multi Chip Model)多芯片模塊系統(tǒng)。

MCM具有以下特點(diǎn)：

1.封裝延遲時(shí)間縮小，易于實(shí)現(xiàn)模塊高速化。

2.縮小整機(jī)/模塊的封裝尺寸和重量。

3.系統(tǒng)可靠性大大提高。

總之，由于CPU和其他超大型集成電路在不斷發(fā)展，集成電路的封裝形式也不斷作出相應(yīng)的調(diào)整變化，而封裝形式的進(jìn)步又將反過(guò)來(lái)促進(jìn)芯片技術(shù)向前發(fā)展。

常見(jiàn)芯片封裝有那幾種？各有什么特點(diǎn)？

我們經(jīng)常聽(tīng)說(shuō)某某芯片采用什么什么的封裝方式，在我們的電腦中，存在著各種各樣不同處理芯片，那么，它們又是是采用何種封裝形式呢？并且這些封裝形式又有什么樣的技術(shù)特點(diǎn)以及優(yōu)越性呢？那么就請(qǐng)看看下面的這篇文章，將為你介紹個(gè)中芯片封裝形式的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)。

一、DIP雙列直插式封裝

DIP(DualIn－line Package)是指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，絕大多數(shù)中小規(guī)模集成電路(IC)均采用這種封裝形式，其引腳數(shù)一般不超過(guò)100個(gè)。采用DIP封裝的CPU芯片有兩排引腳，需要插入到具有DIP結(jié)構(gòu)的芯片插座上。當(dāng)然，也可以直接插在有相同焊孔數(shù)和幾何排列的電路板上進(jìn)行焊接。DIP封裝的芯片在從芯片插座上插拔時(shí)應(yīng)特別小心，以免損壞引腳。

DIP封裝具有以下特點(diǎn)：

1.適合在PCB(印刷電路板)上穿孔焊接，操作方便。

2.芯片面積與封裝面積之間的比值較大，故體積也較大。

Intel系列CPU中8088就采用這種封裝形式，緩存(Cache)和早期的內(nèi)存芯片也是這種封裝形式。

二、QFP塑料方型扁平式封裝和PFP塑料扁平組件式封裝

QFP（Plastic Quad Flat Package）封裝的芯片引腳之間距離很小，管腳很細(xì)，一般大規(guī)?；虺笮图呻娐范疾捎眠@種封裝形式，其引腳數(shù)一般在100個(gè)以上。用這種形式封裝的芯片必須采用SMD（表面安裝設(shè)備技術(shù)）將芯片與主板焊接起來(lái)。采用SMD安裝的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有設(shè)計(jì)好的相應(yīng)管腳的焊點(diǎn)。將芯片各腳對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的焊點(diǎn)，即可實(shí)現(xiàn)與主板的焊接。用這種方法焊上去的芯片，如果不用專用工具是很難拆卸下來(lái)的。

PFP（Plastic Flat Package）方式封裝的芯片與QFP方式基本相同。唯一的區(qū)別是QFP一般為正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是長(zhǎng)方形。

QFP/PFP封裝具有以下特點(diǎn)：

1.適用于SMD表面安裝技術(shù)在PCB電路板上安裝布線。

2.適合高頻使用。

3.操作方便，可靠性高。

4.芯片面積與封裝面積之間的比值較小。

Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用這種封裝形式。

三、PGA插針網(wǎng)格陣列封裝

PGA(Pin Grid Array Package)芯片封裝形式在芯片的內(nèi)外有多個(gè)方陣形的插針，每個(gè)方陣形插針沿芯片的四周間隔一定距離排列。根據(jù)引腳數(shù)目的多少，可以圍成2-5圈。安裝時(shí)，將芯片插入專門的PGA插座。為使CPU能夠更方便地安裝和拆卸，從486芯片開(kāi)始，出現(xiàn)一種名為ZIF的CPU插座，專門用來(lái)滿足PGA封裝的CPU在安裝和拆卸上的要求。

ZIF(Zero Insertion Force Socket)是指零插拔力的插座。把這種插座上的扳手輕輕抬起，CPU就可很容易、輕松地插入插座中。然后將扳手壓回原處，利用插座本身的特殊結(jié)構(gòu)生成的擠壓力，將CPU的引腳與插座牢牢地接觸，絕對(duì)不存在接觸不良的問(wèn)題。而拆卸CPU芯片只需將插座的扳手輕輕抬起，則壓力解除，CPU芯片即可輕松取出。

PGA封裝具有以下特點(diǎn)：

1.插拔操作更方便，可靠性高。

2.可適應(yīng)更高的頻率。

Intel系列CPU中，80486和Pentium、Pentium Pro均采用這種封裝形式。

四、BGA球柵陣列封裝

隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，對(duì)集成電路的封裝要求更加嚴(yán)格。這是因?yàn)榉庋b技術(shù)關(guān)系到產(chǎn)品的功能性，當(dāng)IC的頻率超過(guò)100MHz時(shí)，傳統(tǒng)封裝方式可能會(huì)產(chǎn)生所謂的“CrossTalk”現(xiàn)象，而且當(dāng)IC的管腳數(shù)大于208 Pin時(shí)，傳統(tǒng)的封裝方式有其困難度。因此，除使用QFP封裝方式外，現(xiàn)今大多數(shù)的高腳數(shù)芯片（如圖形芯片與芯片組等）皆轉(zhuǎn)而使用BGA(Ball Grid Array Package)封裝技術(shù)。BGA一出現(xiàn)便成為CPU、主板上南/北橋芯片等高密度、高性能、多引腳封裝的最佳選擇。

BGA封裝技術(shù)又可詳分為五大類：

1.PBGA（Plasric BGA）基板：一般為2-4層有機(jī)材料構(gòu)成的多層板。Intel系列CPU中，Pentium II、III、IV處理器均采用這種封裝形式。

2.CBGA（CeramicBGA）基板：即陶瓷基板，芯片與基板間的電氣連接通常采用倒裝芯片（FlipChip，簡(jiǎn)稱FC）的安裝方式。Intel系列CPU中，Pentium I、II、Pentium Pro處理器均采用過(guò)這種封裝形式。

3.FCBGA（FilpChipBGA）基板：硬質(zhì)多層基板。

4.TBGA（TapeBGA）基板：基板為帶狀軟質(zhì)的1-2層PCB電路板。

5.CDPBGA（Carity Down PBGA）基板：指封裝中央有方型低陷的芯片區(qū)（又稱空腔區(qū)）。

BGA封裝具有以下特點(diǎn)：

1.I/O引腳數(shù)雖然增多，但引腳之間的距離遠(yuǎn)大于QFP封裝方式，提高了成品率。

2.雖然BGA的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，從而可以改善電熱性能。

3.信號(hào)傳輸延遲小，適應(yīng)頻率大大提高。

4.組裝可用共面焊接，可靠性大大提高。

BGA封裝方式經(jīng)過(guò)十多年的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入實(shí)用化階段。1987年，日本西鐵城（Citizen）公司開(kāi)始著手研制塑封球柵面陣列封裝的芯片（即BGA）。而后，摩托羅拉、康柏等公司也隨即加入到開(kāi)發(fā)BGA的行列。1993年，摩托羅拉率先將BGA應(yīng)用于移動(dòng)電話。同年，康柏公司也在工作站、PC電腦上加以應(yīng)用。直到五六年前，Intel公司在電腦CPU中（即奔騰II、奔騰III、奔騰IV等），以及芯片組（如i850）中開(kāi)始使用BGA，這對(duì)BGA應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)展發(fā)揮了推波助瀾的作用。目前，BGA已成為極其熱門的IC封裝技術(shù)，其全球市場(chǎng)規(guī)模在2000年為12億塊，預(yù)計(jì)2005年市場(chǎng)需求將比2000年有70%以上幅度的增長(zhǎng)。

五、CSP芯片尺寸封裝

隨著全球電子產(chǎn)品個(gè)性化、輕巧化的需求蔚為風(fēng)潮，封裝技術(shù)已進(jìn)步到CSP(Chip Size Package)。它減小了芯片封裝外形的尺寸，做到裸芯片尺寸有多大，封裝尺寸就有多大。即封裝后的IC尺寸邊長(zhǎng)不大于芯片的1.2倍，IC面積只比晶粒（Die）大不超過(guò)1.4倍。

CSP封裝又可分為四類：

1.Lead Frame Type(傳統(tǒng)導(dǎo)線架形式)，代表廠商有富士通、日立、Rohm、高士達(dá)（Goldstar）等等。

2.Rigid Interposer Type(硬質(zhì)內(nèi)插板型)，代表廠商有摩托羅拉、索尼、東芝、松下等等。

3.Flexible Interposer Type(軟質(zhì)內(nèi)插板型)，其中最有名的是Tessera公司的microBGA，CTS的sim-BGA也采用相同的原理。其他代表廠商包括通用電氣（GE）和NEC。

4.Wafer Level Package(晶圓尺寸封裝)：有別于傳統(tǒng)的單一芯片封裝方式，WLCSP是將整片晶圓切割為一顆顆的單一芯片，它號(hào)稱是封裝技術(shù)的未來(lái)主流，已投入研發(fā)的廠商包括FCT、Aptos、卡西歐、EPIC、富士通、三菱電子等。

CSP封裝具有以下特點(diǎn)：

1.滿足了芯片I/O引腳不斷增加的需要。

2.芯片面積與封裝面積之間的比值很小。

3.極大地縮短延遲時(shí)間。

CSP封裝適用于腳數(shù)少的IC，如內(nèi)存條和便攜電子產(chǎn)品。未來(lái)則將大量應(yīng)用在信息家電（IA）、數(shù)字電視（DTV）、電子書(shū)（E-Book）、無(wú)線網(wǎng)絡(luò)WLAN／GigabitEthemet、ADSL／手機(jī)芯片、藍(lán)芽（Bluetooth）等新興產(chǎn)品中。

六、MCM多芯片模塊

為解決單一芯片集成度低和功能不夠完善的問(wèn)題，把多個(gè)高集成度、高性能、高可靠性的芯片，在高密度多層互聯(lián)基板上用SMD技術(shù)組成多種多樣的電子模塊系統(tǒng)，從而出現(xiàn)MCM(Multi Chip Model)多芯片模塊系統(tǒng)。

MCM具有以下特點(diǎn)：

1.封裝延遲時(shí)間縮小，易于實(shí)現(xiàn)模塊高速化。

2.縮小整機(jī)/模塊的封裝尺寸和重量。

3.系統(tǒng)可靠性大大提高。

結(jié)束語(yǔ)

總之，由于CPU和其他超大型集成電路在不斷發(fā)展，集成電路的封裝形式也不斷作出相應(yīng)的調(diào)整變化，而封裝形式的進(jìn)步又將反過(guò)來(lái)促進(jìn)芯片技術(shù)向前發(fā)展。

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