今天給各位分享mo源是什么材料的知識(shí)，其中也會(huì)對(duì)mo源主要用途進(jìn)行解釋?zhuān)F(xiàn)在開(kāi)始吧！

南大光電4項(xiàng)業(yè)務(wù)：MO源、光刻膠、電子特氣、ALD前驅(qū)體產(chǎn)品

為了寫(xiě)完光刻膠的研究任務(wù)，挑了南大光電， 本文寫(xiě)完的時(shí)候也是一個(gè)月前，一直放到草稿箱里到今天才發(fā) ，所以一些信息可能沒(méi)更新（比如南大光電的光刻膠通過(guò)的客戶(hù)認(rèn)證）。

公司的主營(yíng)業(yè)務(wù)主要有MO源、光刻膠、電子特氣、ALD前驅(qū)體產(chǎn)品。

我想此刻我們的心情是一樣的。

為了了解這2個(gè)英文字母+1個(gè)漢字，估計(jì)我得對(duì)各個(gè)概念如剝筍般層層研究。首先看MO源，即“高純金屬有機(jī)源”，是制備LED、新一代太陽(yáng)能電池、相變存儲(chǔ)器、半導(dǎo)體激光器、射頻集成電路芯片等的核心原材料，在半導(dǎo)體照明、信息通訊、航天等領(lǐng)域有極重要的作用。公司2010年在國(guó)內(nèi)MO源的市場(chǎng)份額60%，全球15%。

它的下游客戶(hù)，帶“光電”二字的公司很多，可以進(jìn)一步了解到，這個(gè)東西應(yīng)該主要應(yīng)用于光電子行業(yè)，如LED和太陽(yáng)能電池。

好了，雖然不知道這個(gè)東西，但至少可以了解到它是做半導(dǎo)體的某種核心基本材料，看樣子是不可或缺的。而且公司是這一塊的絕對(duì)龍頭（都60%市占率了還能說(shuō)啥？）。

MO源“是利用先進(jìn)的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（以下簡(jiǎn)稱(chēng)‘MOCVD’）工藝生成化合物半導(dǎo)體材料的關(guān)鍵支撐原材料，因而又被稱(chēng)為MOCVD的‘前體物’。MO源的質(zhì)量直接決定了最終器件的性能，因此MOCVD工藝對(duì)MO源的質(zhì)量要求很高，其中純度是衡量MO源質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)?！?/p>

氣相沉積不難理解，我個(gè)人通俗理解是，用化學(xué)氣體或蒸汽附在材料上，形成一個(gè)涂層?；衔锇雽?dǎo)體就是之前我在《三安光電年報(bào)解讀》中講到的SiC、GaN之類(lèi)。所以我對(duì)MO源這句話的通俗理解就是：為了做出SiC之類(lèi)的第三代半導(dǎo)體，你得用上氣相沉積（MOCVD）工藝，那為了用好這個(gè)工藝，你得用上高純度的MO源。

MO源有60多種，三甲基鎵和三甲基銦是最主要的兩種MO源，其中又以三甲基鎵的用量最大，使用比例在80%左右，三甲基銦使用比例平均不超過(guò)10%。

招股書(shū)繼續(xù)寫(xiě)道：

看到這里林北清楚多了：三安、乾照等LED外延片供應(yīng)商，使用的是MOCVD技術(shù)，把MO源上的原材料附著在襯底上，外延生長(zhǎng)出化合物半導(dǎo)體，也就是我們常說(shuō)的LED外延片。事實(shí)上，90%以上的MO源都被用于生產(chǎn)LED外延片。所以，對(duì)MO源市場(chǎng)前景的判斷，關(guān)鍵就看LED的市場(chǎng)前景，而其需求又和MOCVD設(shè)備直接相關(guān)。

話雖如此，往后的報(bào)表卻很不樂(lè)觀。LED后來(lái)進(jìn)入產(chǎn)能過(guò)剩階段，MO源價(jià)格也跟著講，毛利也從80%陸續(xù)下降到70%、60%、50%，其中用量最大的三甲基鎵的毛利率更是從上市前最高70%掉到6%。

即電子特種氣體，號(hào)稱(chēng)半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中的“糧食”。具體可以看一下林北寫(xiě)過(guò)的《華特氣體年報(bào)解讀》。

公司于2013年成立了全椒南大材料，2016年才完成高純磷烷、砷烷產(chǎn)品的產(chǎn)線建設(shè)；2019年直接并購(gòu)山東飛源，又獲得了三氟化氮、六氟化硫的生產(chǎn)能力。特氣業(yè)務(wù)增長(zhǎng)迅速，17年開(kāi)始每年?duì)I業(yè)額是3600萬(wàn)、7800萬(wàn)、1.64億，已經(jīng)比MO源還多，毛利率也穩(wěn)定在50%左右。

特氣這個(gè)行業(yè)不太好理解，主要是氣體太多太雜，各個(gè)環(huán)節(jié)要用到的氣體也不一樣。在《華特氣體年報(bào)解讀》一文中，林北明確表示對(duì)特氣公司只看不投，因?yàn)檎娴牟欢?/p>

2016年公司參股了北京科華微電子材料有限公司，經(jīng)過(guò)筆者研究，北京科華應(yīng)該是目前國(guó)內(nèi)技術(shù)實(shí)力最強(qiáng)的光刻膠企業(yè)，唯一一家通過(guò)了EUV光刻膠“02專(zhuān)項(xiàng)”研發(fā)。但是現(xiàn)在在北京科華的工商信息上，看不到南大光電了，記錄顯示是2019年初轉(zhuǎn)讓掉的。

2018年，“193nm光刻膠及配套材料關(guān)鍵技術(shù)開(kāi)發(fā)項(xiàng)目”和“ArF光刻膠開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”獲得國(guó)家02專(zhuān)項(xiàng)的正式立項(xiàng)，獲得中央財(cái)政撥款1.3億。公司新設(shè)了光刻膠事業(yè)部，成立“寧波南大光電材料有限公司”。

總而言之，公司雖然有光刻膠的概念，但并沒(méi)有實(shí)際開(kāi)展業(yè)務(wù)，而且充滿(mǎn)不確定性。不像晶瑞股份等是從g線、i線開(kāi)始做，而是一上來(lái)就搞ArF，而且都處在“專(zhuān)項(xiàng)科研”階段。

說(shuō)它是業(yè)務(wù)有點(diǎn)勉強(qiáng)，它是公司16年和 科技 部簽訂的一個(gè)研究項(xiàng)目“ALD金屬有機(jī)前驅(qū)體產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和安全離子注入產(chǎn)品開(kāi)發(fā)”。前驅(qū)體就是一個(gè)東西之前的形態(tài)，就像暴龍獸之前是亞古獸，再之前是滾球獸一樣，額，這是我的理解。

ALD即原子層沉積，前面講到氣相沉積，就相當(dāng)于給襯底烘一層蒸汽讓物質(zhì)附在上面，而ALD更厲害，直接以單原子膜的形式一層一層地附在上面。ALD懂了，前驅(qū)體懂了，ALD前驅(qū)體是什么，抱歉，我還沒(méi)看懂。

南大光電是一家典型的高 科技 公司，所以林北只研究了它的行業(yè)，用來(lái)輔助最近的光刻膠行業(yè)調(diào)查任務(wù)，并沒(méi)有對(duì)財(cái)務(wù)進(jìn)行分析?？偠灾?，南大光電之前做MO源，但最近這門(mén)生意好慘。為了走出困境，公司積極布局電子特氣行業(yè)，經(jīng)過(guò)3年努力，特氣的業(yè)務(wù)已經(jīng)超過(guò)了老業(yè)務(wù)MO源。

然后是我關(guān)心的光刻膠行業(yè)，作為南大的校企（大股東南京大學(xué)資產(chǎn)經(jīng)營(yíng)有限公司），公司也理所當(dāng)然地能拿到國(guó)家科研專(zhuān)項(xiàng)任務(wù)，一上來(lái)就高舉高打研發(fā)ArF光刻膠，這可是中國(guó)目前沒(méi)有辦法供應(yīng)的產(chǎn)品，同樣還在研發(fā)的還有北京科華和容大感光。當(dāng)然，所有這些公司都還在研發(fā)中，還沒(méi)有一家投放市場(chǎng)，接著光刻膠的概念，好幾年股價(jià)震蕩的南大光電迎來(lái)大漲。

2019年1月，南大光電賣(mài)掉了北京科華的股份，價(jià)值1.7億，獲得了近2000萬(wàn)投資收益，占利潤(rùn)總額的28.87%，多好的一只母雞就這么被賣(mài)掉了，現(xiàn)在公司多了一家技術(shù)NB的競(jìng)爭(zhēng)者。但筆者不是公司高管，對(duì)此舉不好評(píng)論。

國(guó)產(chǎn)光刻膠成功突破，粉碎日本壟斷夢(mèng)

近日，半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來(lái)重磅消息，南大光電的ArF光刻膠取得突破，國(guó)產(chǎn)光刻膠終于來(lái)了！

南大光電光刻膠突破

早在5月30日，南大光電就已經(jīng)發(fā)布公告稱(chēng)，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品通過(guò)客戶(hù)認(rèn)證，具備55nm工藝要求。

7月2日，有報(bào)道稱(chēng)，南大光電的ArF光刻膠產(chǎn)品目前已經(jīng)拿到了小批量訂單。

這都在表明，國(guó)產(chǎn)光刻膠終于不再受制于人，而是實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化了。

芯片在制造過(guò)程中，除了硅這種主要材料之外，一些輔助材料也至關(guān)重要，其中有一種名為光刻膠的材料，在芯片制造過(guò)程中必不可少，然而，這個(gè)材料卻長(zhǎng)期被日本壟斷，中國(guó)也在這方面一直被卡脖子。

而最近傳出的一個(gè)消息，對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體的發(fā)展非常不利，日本對(duì)中國(guó)供應(yīng)的光刻膠出現(xiàn)了“斷供”的現(xiàn)象。美國(guó)召開(kāi)G7峰會(huì)后，日本宣布光刻膠斷供中國(guó)，日本信越化學(xué)等光刻膠企業(yè)開(kāi)始限制供應(yīng)ArF光刻膠產(chǎn)品。

斷供光刻膠，對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的人而言并不陌生，2019年日韓貿(mào)易沖突白熱化，日本就斷供了光刻膠，導(dǎo)致當(dāng)時(shí)全球最大的芯片廠商三星陷入了困境之中。

雖然韓國(guó)積極向日本低頭求和并開(kāi)展自救，但芯片生產(chǎn)依然受到巨大影響，間接推動(dòng)了2020年的芯片短缺。

巧婦難為無(wú)米之炊，沒(méi)有了光刻膠，對(duì)于中國(guó)的晶圓廠而言是巨大的打擊，芯片生產(chǎn)將被迫停止！

好在，光刻膠的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程并不慢，日企斷供短短半年時(shí)間，南大光電就已經(jīng)將國(guó)產(chǎn)光刻膠投入市場(chǎng)中了。

南大光電，成立于2000年12月，是以南京大學(xué)國(guó)家863計(jì)劃研究成果作為技術(shù)支持的中國(guó)高純金屬有機(jī)化合物MO源的產(chǎn)業(yè)化基地。

1986年，863計(jì)劃啟動(dòng)，在高濟(jì)宇院士的支持和指導(dǎo)下，學(xué)者孫祥禎牽頭進(jìn)行MO源的技術(shù)攻關(guān)。MO源是一種禁運(yùn)物資，更是生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體的源頭材料，對(duì)我國(guó)國(guó)防安全、高 科技 民族工業(yè)有重要意義。

歷經(jīng)重重困難，孫祥禎帶領(lǐng)的課題組終于研制出了純度大于5.5N的多個(gè)品種的MO源，全面向國(guó)內(nèi)近20家研究單位供貨，緩解了我國(guó)對(duì)MO源的急求。

這項(xiàng)工藝不僅促進(jìn)了國(guó)防工業(yè)的發(fā)展，更為國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體材料的發(fā)展奠定了原始的基礎(chǔ)。

孫祥禎退休后，帶領(lǐng)年輕人創(chuàng)立了南大光電，注冊(cè)資本3770萬(wàn)元，生產(chǎn)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高純金屬有機(jī)化合物，是國(guó)內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)MO源產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)，公司的技術(shù)主要來(lái)源便是南京大學(xué)863計(jì)劃中的項(xiàng)目。

公司主要產(chǎn)品有三甲基鎵，三甲基銦，三甲基鋁，二茂鎂等十幾種MO源，在產(chǎn)品的合成、純化、分析、封裝、儲(chǔ)運(yùn)及安全操作等方面已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，產(chǎn)品遠(yuǎn)銷(xiāo)日本、韓國(guó)、歐洲市場(chǎng)，并占有大陸70%的市場(chǎng)份額。

作為國(guó)內(nèi)唯一將半導(dǎo)體光學(xué)原材料實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的企業(yè)，南大光電對(duì)于光刻膠可以說(shuō)十分熟悉，也是最有可能突破光刻膠技術(shù)的企業(yè)。

中國(guó)半導(dǎo)體在崛起

光刻膠到底是做什么用的呢？

芯片生產(chǎn)過(guò)程中，需要用光學(xué)材料將數(shù)以萬(wàn)計(jì)的電路刻在小小的7nm的芯片上，而這種輔助的光學(xué)材料，就是光刻膠。

在光刻膠領(lǐng)域，材料主要分為四種，分別為g線、i線、KrF、ArF光刻膠，半導(dǎo)體工藝越高，光刻機(jī)的精度越高，照射的光線頻率越高，波長(zhǎng)越短。

光刻膠的分辨率會(huì)隨著光線頻率的改變而不斷變化，基本的演進(jìn)路線是：g線（436nm） i線（365nm） KrF（248nm） ArF（193nm） F2（157nm） EUV（

其中，ArF光刻膠的制造難度是最高的，這也是14nm/7nm芯片制造過(guò)程中不可或缺的原材料。

芯片的工藝也分等級(jí)，平板電腦、 汽車(chē) 芯片等工藝水平并不高，這各等級(jí)的芯片中國(guó)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了從光刻機(jī)到芯片的完全自主化生產(chǎn)。真正困難的在于7nm的芯片，也就是華為遭到斷供的手機(jī)芯片。

這種工藝的手機(jī)芯片，不僅需要荷蘭ASML先進(jìn)的EVU光刻機(jī)來(lái)生產(chǎn)，更需要高端的光刻膠作為輔助材料，以及大量的芯片原材料，才能成功生產(chǎn)出華為手機(jī)所需要的芯片。

光刻機(jī)被美國(guó)和荷蘭的公司壟斷，現(xiàn)在EVU光刻機(jī)對(duì)中國(guó)處于斷供狀態(tài)，中芯國(guó)際花了12億購(gòu)買(mǎi)的EVU光刻機(jī)至今仍未到貨；

芯片原材料，雖然國(guó)內(nèi)已有部分原材料實(shí)現(xiàn)自主生產(chǎn)，但是硅片、光掩模、電子特氣、拋光材料、濺射靶材、光刻膠以及濕電子化學(xué)品這其中原材料完全依賴(lài)進(jìn)口。

在全球光刻膠市場(chǎng)，日本東京應(yīng)化，JSR，住友化學(xué)，信越化學(xué)等企業(yè)，掌握了全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)的90%左右份額，幾乎是壟斷的狀態(tài)。

方正證券的報(bào)告顯示，中國(guó)大陸企業(yè)在全球光刻膠領(lǐng)域占有率不到13%，在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域更是不足5%，完全被日本卡了脖子！

但是，進(jìn)入2021年以后，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)產(chǎn)化的趨勢(shì)越來(lái)越強(qiáng)！

首先是光刻機(jī)領(lǐng)域，上海微電子已經(jīng)實(shí)現(xiàn)28nm光刻機(jī)的量產(chǎn)，預(yù)計(jì)2022年可以交付，這款光刻機(jī)的性能與荷蘭ASML的DVU光刻機(jī)相似，可以生產(chǎn)14nm制程工藝的芯片。

另外，美國(guó)雖然斷供了最先進(jìn)的EVU光刻機(jī)，但是制程工藝相對(duì)較低的DVU光刻機(jī)卻沒(méi)有斷供，而荷蘭ASML也明確表態(tài)過(guò)，EVU光刻機(jī)也可以用于7nm工藝芯片，英特爾的10nm工藝、臺(tái)積電第一個(gè)7nm芯片，都是用DVU光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)。

這意味著，2022年，現(xiàn)有的光刻機(jī)技術(shù)或許能夠提前量產(chǎn)華為所需的7nm芯片，打破美國(guó)封鎖。

而生產(chǎn)7nm工藝芯片所需要的ArF光刻膠，在7月2日就已經(jīng)有國(guó)外企業(yè)向南大光電訂購(gòu)了，這意味著半導(dǎo)體光刻膠原材料也實(shí)現(xiàn)了自主化。

另外，南大光電，容大感光、上海新陽(yáng)等國(guó)內(nèi)企業(yè)，也在持續(xù)研發(fā)高端光刻膠，爭(zhēng)取在現(xiàn)有技術(shù)上進(jìn)一步突破，追上日本的光刻膠技術(shù)。

剩下的6種完全依賴(lài)進(jìn)口的原材料，國(guó)內(nèi)的企業(yè)肯定也已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了商機(jī)，正在朝著國(guó)產(chǎn)化轉(zhuǎn)變；最關(guān)鍵的兩項(xiàng)技術(shù)突破后，中國(guó)實(shí)現(xiàn)手機(jī)芯片國(guó)產(chǎn)化的日子也就不遠(yuǎn)了。

空談?wù)`國(guó)、實(shí)干興邦，中國(guó)的半導(dǎo)體行業(yè)，正在默默地奮力追趕，一如這次南大光電突然給市場(chǎng)來(lái)個(gè)驚喜一樣，未來(lái)還將會(huì)看到更多的一鳴驚人的突破。

中國(guó)半導(dǎo)體，正在以驚人的速度崛起！

作者 | 金萊

我國(guó)氮化鎵生產(chǎn)巨頭

國(guó)內(nèi)有多家氮化鎵龍頭企業(yè)，各自有主打產(chǎn)品，并沒(méi)有某一個(gè)企業(yè)壟斷了一種化工原料的現(xiàn)象出現(xiàn)。下面梳理一下國(guó)內(nèi)比較知名的氮化鎵企業(yè)。

一、三安光電

化合物半導(dǎo)體代工，已完成部分GaN的產(chǎn)線布局，是氮化鎵的龍頭。三安光電主要從事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料、微波通訊集成電路與功率器件、光通訊元器件等的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售，產(chǎn)品性能指標(biāo)居國(guó)際先進(jìn)水平。

二、聞泰科技

其安世入股的Transphorm獲得了車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證，車(chē)載GaN已經(jīng)量產(chǎn)，全球最優(yōu)質(zhì)的氮化鎵供應(yīng)商之一。

公司主營(yíng)通訊和半導(dǎo)體兩大業(yè)務(wù)板塊，目前已經(jīng)形成從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、半導(dǎo)體封裝測(cè)試到產(chǎn)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、通訊終端、筆記本電腦、IoT、汽車(chē)電子產(chǎn)品研發(fā)制造于一體的龐大產(chǎn)業(yè)布局。通訊業(yè)務(wù)板塊包括手機(jī)、平板、筆電、IoT、汽車(chē)電子等領(lǐng)域。

三、耐威科技

公司目前的第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)主要是指GaN(氮化鎵)材料的生長(zhǎng)與器件的設(shè)計(jì)，公司已成功研制8英寸硅基氮化鎵外延晶圓，且正在持續(xù)研發(fā)氮化鎵器件。

北京耐威科技股份有限公司以傳感技術(shù)為核心，緊密?chē)@物聯(lián)網(wǎng)、特種電子兩大產(chǎn)業(yè)鏈，一方面大力發(fā)展MEMS、導(dǎo)航、航空電子三大核心業(yè)務(wù)，一方面積極布局無(wú)人系統(tǒng)、第三代半導(dǎo)體材料和器件等潛力業(yè)務(wù)，致力于成為具備高競(jìng)爭(zhēng)門(mén)檻的一流民營(yíng)科技企業(yè)集團(tuán)。

公司主要產(chǎn)品及業(yè)務(wù)包括MEMS芯片的工藝開(kāi)發(fā)及晶圓制造、導(dǎo)航系統(tǒng)及器件、航空電子系統(tǒng)等，應(yīng)用領(lǐng)域包括通信、生物醫(yī)療、工業(yè)科學(xué)、消費(fèi)電子、航空航天、智能交通等。

公司業(yè)務(wù)遍及全球，客戶(hù)包括特種電子用戶(hù)以及全球DNA/RNA測(cè)序儀巨頭、新型超聲設(shè)備巨頭、網(wǎng)絡(luò)通信和應(yīng)用巨頭以及工業(yè)和消費(fèi)細(xì)分行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)。

四、南大光電

公司的高純磷烷、砷烷研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目已經(jīng)列入國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)。高純磷烷和高純砷烷都是LED、超大規(guī)模集成電路、砷化鎵太陽(yáng)能電池的重要原材料。

MO源是MOCVD技術(shù)生長(zhǎng)化合物半導(dǎo)體超薄型膜材料的支撐材料。化合物半導(dǎo)體主要用于制造高亮度發(fā)光管、高遷移率晶體管、半導(dǎo)體激光器、太陽(yáng)能電池等器件，在紅外探測(cè)、超高速計(jì)算機(jī)等方面的應(yīng)用也有著光明的前景。

五、海陸重工

旗下江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公有專(zhuān)業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)以氮化鎵( GaN)為代表的復(fù)合半導(dǎo)體高性能晶圓，并用其做成功率器件。

蘇州海陸重工股份有限公司位于江蘇省張家港市開(kāi)發(fā)區(qū)，是國(guó)內(nèi)一流的節(jié)能環(huán)保設(shè)備的專(zhuān)業(yè)設(shè)計(jì)制造企業(yè)，目前并已初步形成鍋爐產(chǎn)品、大型壓力容器、核電設(shè)備、低溫產(chǎn)品、環(huán)保工程共同發(fā)展的業(yè)務(wù)格局。

擴(kuò)展資料

一、氮化鎵在新型電子器件中的應(yīng)用

GaN材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng)，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術(shù)在GaN材料應(yīng)用中的進(jìn)展和關(guān)鍵薄膜生長(zhǎng)技術(shù)的突破，成功地生長(zhǎng)出了GaN多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

用GaN材料制備出了金屬場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）、異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HFET)、調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MODFET）等新型器件。

調(diào)制摻雜的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)具有高的電子遷移率(2000cm2/vs)、高的飽和速度(1107cm/s)、較低的介電常數(shù)，是制作微波器件的優(yōu)先材料；GaN較寬的禁帶寬度(3.4eV) 及藍(lán)寶石等材料作襯底，散熱性能好，有利于器件在大功率條件下工作。

二、氮化鎵在光電器件中的應(yīng)用

GaN材料系列是一種理想的短波長(zhǎng)發(fā)光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質(zhì)結(jié)GaN藍(lán)色 LED之后，InGaN/AlGaN雙異質(zhì)結(jié)超亮度藍(lán)色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問(wèn)世。

目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍(lán)色和綠色 LED已進(jìn)入大批量生產(chǎn)階段，從而填補(bǔ)了市場(chǎng)上藍(lán)色LED多年的空白。以發(fā)光效率為標(biāo)志的LED發(fā)展歷程見(jiàn)圖3。

藍(lán)色發(fā)光器件在高密度光盤(pán)的信息存取、全光顯示、激光打印機(jī)等領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用市場(chǎng)。隨著對(duì)Ⅲ族氮化物材料和器件研究與開(kāi)發(fā)工作的不斷深入，GaInN超高度藍(lán)光、綠光LED技術(shù)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商品化，現(xiàn)在世界各大公司和研究機(jī)構(gòu)都紛紛投入巨資加入到開(kāi)發(fā)藍(lán)光LED的競(jìng)爭(zhēng)行列。

什么是MO源？MO源國(guó)內(nèi)主要提供廠商有哪些？

MO源 （metalorganic source）種類(lèi)繁多，在研究和生產(chǎn)中使用過(guò)的MO源超過(guò)70多種， MO源概念已超出金屬有機(jī)化合物的范圍，現(xiàn)在MO源的含義應(yīng)是：凡在MOCVD外延技術(shù)中作為基本材料使用的金屬或元素有機(jī)化合物統(tǒng)稱(chēng)為MO源，因此MO源在外國(guó)文獻(xiàn)中常籠統(tǒng)地稱(chēng)為“MOCVD的前體物（Precursor）”。但是在化合物半導(dǎo)體材料研發(fā)和生產(chǎn)中，除Ⅴ、Ⅵ族元素的氫化物（如NH3、AsH3、H2Se等）外，MOCVD工藝使用的高純基礎(chǔ)材料主要是Ⅱ、Ⅲ族的金屬有機(jī)化合物（如TMGa、DMCd等）和Ⅴ、Ⅵ族元素有機(jī)化合物（TBP、TBAs等），目前在MOCVD工藝中使用的Ⅴ、Ⅵ族材料仍是元素的氫化物為主。

據(jù)我所知，中國(guó)做的最好的應(yīng)該是南大光電了。

江蘇南大光電材料股份有限公司（股票代碼：300346），成立于2000年，坐落于蘇州工業(yè)園區(qū)，是一家專(zhuān)業(yè)從事高純電子材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的高新技術(shù)企業(yè) ，主要產(chǎn)品有MO源、特種氣體（砷烷、磷烷）、安全源（負(fù)離子注入源）等。

南大光電是目前國(guó)內(nèi)唯一MO源大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的企業(yè)，亦是全球四大MO源制造商之一。 南大光電擁有完善的質(zhì)量管理體系，公司已經(jīng)通過(guò)ISO9001：2008質(zhì)量管理體系認(rèn)證、ISO14001:2004環(huán)境管理體系認(rèn)證以及OHSAS18001：2007職業(yè)健康與安全管理體系認(rèn)證。公司產(chǎn)品得到全球用戶(hù)廣泛認(rèn)可，已經(jīng)成功進(jìn)入了中國(guó)大陸、臺(tái)灣地區(qū)、韓國(guó)、美國(guó)、日本、歐洲等主要市場(chǎng)。

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